渡辺 信嗣 | Jst-erato

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概要

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  新潟大自然研

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  新潟大自然研

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  新潟大理

• 長瀬 勝美

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  新潟大自然

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  JST-ERATO

• 秋葉 圭一郎

  JST-ERATO

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• 鈴木 修

  物材機構

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  NIMS

• Penzev A.

  東大物性研

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  東大物性研

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  新潟大自

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• 田中 弘隆

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  東北大理

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• 工藤 将倫

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• 橋本 克之

  JST-ERATO:東北大院理

• 高橋 博樹〔他〕

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  東北大理

• 平山 祥郎

  東北大理:JST-ERATO:東北大WPI-AIMR

• 平山 祥郎

  JST-ERATO:東北大理:東北大WPI-AIMR

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著作論文

• 23aWH-11 不均一なゼーマン磁場中におけるスカーミオンによる核スピン緩和(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pHV-11 熱的偏極核スピンによる抵抗検出NMRスペクトルの測定(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSB-34 捻じり振り子法を用いたパラジウム水素系の低温状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pYK-10 抵抗検出NMR法を用を用いたスカーミオンによる核スピン緩和異常の観察(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pYA-10 カゴ状物質La_3Pd_Ge_6のNMR測定II(25pYA スクッテルダイト等(Sm系等),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27pTX-4 RF電場により誘起された電子スピンドメイン振動による核スピン共鳴(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 14pPSB-21 カゴ状物質 La_3Pd_Ge_6 の NMR 測定(f-電子系, 領域 8)
• 25pXD-11 ν=2/3スピン相転移点シフトによる核スピン状態の検出と緩和測定(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pPSB-73 捻じり振り子法を用いたパラジウム-水素・重水素系の低温状態の研究III(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pZC-11 GaAs-Al_Ga_AsのAl-NMR(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 25aWA-3 超伝導体Pr_2Ba_4Cu_7O_のCu-NQR測定II(高温超伝導(磁気励起,1/8問題),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 12pRD-9 超伝導体 Pr_2Ba_4Cu_7O_ の Cu-NQR 測定(高温超伝導 : 擬ギャップ・超伝導応答, 領域 8)
• 13aYB-11 多重パルス列による Ga, As 核スピンの T_2(半導体スピン物性, 領域 4)
• 13aYB-10 多重パルス列による ^Si の NMR 測定(半導体スピン物性, 領域 4)
• 28aPS-7 Pr_2Ba_4Cu_7O_のCu-NQR測定(領域8 ポスターセッション)(領域8)
• 22aTF-2 高純度シリコンの NMR による核スピン緩和時間の測定
• 20pHV-7 Al核スピンによるナノ構造の直接観察II(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pTX-5 Al核スピンによるナノ構造の直接観察(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aXL-12 微小磁石による局所磁場勾配の直接観察(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-12 多重パルス列によるGa,As核スピンのT_2 II(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-11 多重パルス列による^SiのNMR測定II(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aXD-2 超伝導体Pr_2Ba_4Cu_7O_のCu-NQR測定III(高温超伝導(多層型,揺らぎ),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pWA-1 擬一次元CuO二重鎖伝導面における超伝導(高温超伝導(置換効果・結晶化学),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 19pTG-6 低温度領域におけるPd-H系の余剰比熱
• 24aXA-8 抵抗検出NMRによるν=1/3でのスピン反転励起の観測(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 29pXB-1 Pr_2Ba_4Cu_7O_酸化物の還元処理による超伝導遷移(高温超伝導(結晶化学,関連物質他))(領域8)
• 29pYG-9 GaAs基盤のGa-,As-NMRのスペクトルと緩和時間(量子ホール効果)(領域4)
• 25aHG-8 二層量子井戸構造における核スピン拡散(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHG-6 量子ホール領域における熱偏極した核スピン偏極率の充填率依存性(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTR-8 ν=2/3量子ホール効果を用いた二層量子井戸間の核スピン拡散(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTR-6 量子ホール2次元電子系における熱平衡状態の核スピン偏極率の充填率依存性(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pCJ-4 量子細線構造を用いたミクロスコピックNER(27pCJ 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aFB-5 二重量子井戸構造における核スピンの拡散と緩和(19aFB 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXQ-5 量子ホール系における核スピン偏極率の温度依存性(27pXQ 分数量子ホール効果・核スピン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXQ-2 二重量子井戸構造における電流誘起核スピン偏極及び核スピン拡散による縦抵抗の変化(27pXQ 分数量子ホール効果・核スピン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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