20pHV-7 Al核スピンによるナノ構造の直接観察II(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2010-03-01
著者
-
佐々木 進
新潟大工
-
西森 将志
新潟大院自然
-
長谷川 広和
新潟大院自然
-
佐々木 進
新潟大工:erato-jst
-
渡辺 信嗣
Jst-erato
-
渡邊 信嗣
CREST-JST
-
平山 祥郎
JST-ERAT
-
西森 将志
新潟大自然
-
長谷川 広和
新潟大自然
-
川中子 隆
新潟大工
-
平山 祥郎
東北大理:jst-erato
-
渡辺 信嗣
金沢大理工
関連論文
- 20aHV-2 強局在領域における位相緩和長と抵抗の温度変化(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWH-11 不均一なゼーマン磁場中におけるスカーミオンによる核スピン緩和(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pGS-4 電気二重層トランジスタによるInPのキャリア数制御(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aGD-11 Tm_2Rh_P_7の低温物性(20aGD スクッテルダイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aHW-10 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pHV-11 熱的偏極核スピンによる抵抗検出NMRスペクトルの測定(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pHV-1 Kerr顕微鏡によるv=1量子ホール状態の局所占有数と電流分布(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXD-6 量子ホール強磁性状態における乱雑ポテンシャルによるスピン波の崩壊(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXD-5 量子ホール2次元電子系における光学遷移の占有数依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28aTX-3 v=1量子ホール状態近傍における量子ホール電子系のスピンダイナミクス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aTX-2 量子ホール電子系の磁気光カー回転スペクトル(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aTX-1 電子スピン分極イメージングによる量子ホールデバイス中の電流分布測定(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-4 2色ポンプ・プローブカー回転測定による量子ホール電子のスピンダイナミクス(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aPS-74 クラスレート化合物,La_3Pd_T_6(T=Si and Ge)のケージ副構造とサイト占有率(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aXA-13 カゴ状物質La_3Pd_X_6(X=Ge,Si)の4aサイトLaのNMR異常(スクッテルダイト化合物,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 29pTA-10 (Tm_XLu_)_2Rh_P_7のNMR(29pTA スクッテルダイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSB-34 捻じり振り子法を用いたパラジウム水素系の低温状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aXD-2 ν=1^-における円偏光発光スペクトル(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pYK-10 抵抗検出NMR法を用を用いたスカーミオンによる核スピン緩和異常の観察(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pYA-10 カゴ状物質La_3Pd_Ge_6のNMR測定II(25pYA スクッテルダイト等(Sm系等),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aTX-10 細線型閉じ込めによるスカーミオン由来の低周波電子スピン揺らぎの抑制(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-4 RF電場により誘起された電子スピンドメイン振動による核スピン共鳴(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-13 2層系量子ホール状態における磁気抵抗のマイクロ波応答(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14pPSB-21 カゴ状物質 La_3Pd_Ge_6 の NMR 測定(f-電子系, 領域 8)
- 25pXD-11 ν=2/3スピン相転移点シフトによる核スピン状態の検出と緩和測定(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pPSB-73 捻じり振り子法を用いたパラジウム-水素・重水素系の低温状態の研究III(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXD-4 量子細線の抵抗の温度依存性とdisorder依存性(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pZC-11 GaAs-Al_Ga_AsのAl-NMR(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 25aWA-3 超伝導体Pr_2Ba_4Cu_7O_のCu-NQR測定II(高温超伝導(磁気励起,1/8問題),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 12pRD-9 超伝導体 Pr_2Ba_4Cu_7O_ の Cu-NQR 測定(高温超伝導 : 擬ギャップ・超伝導応答, 領域 8)
- 13aYB-11 多重パルス列による Ga, As 核スピンの T_2(半導体スピン物性, 領域 4)
- 13aYB-10 多重パルス列による ^Si の NMR 測定(半導体スピン物性, 領域 4)
- 28aPS-7 Pr_2Ba_4Cu_7O_のCu-NQR測定(領域8 ポスターセッション)(領域8)
- 21aTJ-3 La_Sr_xCu_8O_ の磁化特性 II
- 22aTF-2 高純度シリコンの NMR による核スピン緩和時間の測定
- 20pHV-7 Al核スピンによるナノ構造の直接観察II(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-5 Al核スピンによるナノ構造の直接観察(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWH-12 CdTe基板における核スピンコヒーレント時間(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-6 GaAs基板におけるNMRスペクトルの四重極分離(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pXA-5 カゴ状化合物La3Pd20Ge6の核磁気共鳴(領域10,領域8合同シンポジウム カゴに内包された原子の局所振動-ラットリングと量子効果,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 18pXA-5 カゴ状化合物La3Pd20Ge6の核磁気共鳴(18pXA 領域10,領域8合同シンポジウム 主題:カゴに内包された原子の局所振動-ラットリングと量子効果,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aXL-12 微小磁石による局所磁場勾配の直接観察(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXB-1 半導体中核スピンのデコヒーレンス : 物理的起源とキャリア依存性(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-12 多重パルス列によるGa,As核スピンのT_2 II(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-11 多重パルス列による^SiのNMR測定II(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aXD-2 超伝導体Pr_2Ba_4Cu_7O_のCu-NQR測定III(高温超伝導(多層型,揺らぎ),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pWA-1 擬一次元CuO二重鎖伝導面における超伝導(高温超伝導(置換効果・結晶化学),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19pTG-6 低温度領域におけるPd-H系の余剰比熱
- 30p-YX-2 K_3C_の磁場侵入長
- 6p-D-8 K_3C_のスピン帯磁率と電荷移動
- K_3C_の微視的電子状態の異方性
- K_3C_の^C-, ^K-NMR II
- 29a-YJ-2 K_3C_の^C_-, ^K-NMR
- 31p-YE-7 K_3C_の^C核のスピン格子緩和 II
- 24aXA-8 抵抗検出NMRによるν=1/3でのスピン反転励起の観測(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24aXA-1 光ファイバーを用いた量子ホール系の強磁場、極低温におけるKerr回転スペクトルの測定(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 29pXB-1 Pr_2Ba_4Cu_7O_酸化物の還元処理による超伝導遷移(高温超伝導(結晶化学,関連物質他))(領域8)
- シリコン結晶中の核スピン量子コヒーレンス (特集号)
- 25aWQ-7 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性II(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 29pYG-9 GaAs基盤のGa-,As-NMRのスペクトルと緩和時間(量子ホール効果)(領域4)
- 1p-PS-48 K_3C_の^C核のスピン格子緩和
- 28p-APS-88 超伝導性La_Ca_Cu_2O_6のNQR
- 25pRB-8 多重パルス照射によるゆらぎスペクトルの決定法(25pRB 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pRB-7 核スピン制御による固体中の低周波ゆらぎスペクトルの直接観察(25pRB 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pHG-5 高次ランダウレベルの電子状態観察(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aHG-8 二層量子井戸構造における核スピン拡散(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aHG-5 占有率2/3スピン相転移ピークを用いた光学的核スピン偏極の抵抗検出(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aHG-6 量子ホール領域における熱偏極した核スピン偏極率の充填率依存性(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pHD-8 分数量子ホール領域の発光の微細構造(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTM-10 分数量子ホール領域の発光の微細構造(2)(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pTR-10 光学的核スピン偏極での照射光条件の抵抗検出を用いた評価(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pTR-9 抵抗検出された光学的核スピン偏極の占有率依存性(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pTR-8 ν=2/3量子ホール効果を用いた二層量子井戸間の核スピン拡散(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pTR-6 量子ホール2次元電子系における熱平衡状態の核スピン偏極率の充填率依存性(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pTR-5 量子ホール効果ブレークダウンによる核スピン偏極の電流及びフィリングファクター依存性(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pEB-6 多重パルス列によるノイズスペクトルの測定(22pEB 量子エレクトロニクス(量子測定・量子エレクトロニクス・分光),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aED-4 多重パルス照射による固体中の核スピン・コヒーレンス増大と雑音スペクトル(21aED 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理・量子計算・量子ビット),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27pCJ-3 空間分布をもつ光学的核スピン偏極によるv=2/3スピン相転移ピークの変化(27pCJ 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pCJ-4 量子細線構造を用いたミクロスコピックNER(27pCJ 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aFB-1 ポンプ_プローブ法による量子ホール効果ブレークダウン領域のNMR測定(19aFB 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aFB-2 極低温走査ゲート顕微鏡の開発と局所電場印加した二次元電子ガスの抵抗マッピング(19aFB 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-9 整数量子ホール効果を用いた光学的核スピン偏極の抵抗検出(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aFB-5 二重量子井戸構造における核スピンの拡散と緩和(19aFB 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 領域4,領域1,領域3,領域5「核スピンエンジニアリングへの挑戦-ナノ領域における核スピンの検出・制御とその応用に関する話題-」(第68回年次大会シンポジウムの報告,学会報告)
- 27pXQ-5 量子ホール系における核スピン偏極率の温度依存性(27pXQ 分数量子ホール効果・核スピン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXQ-4 量子ホール系における光学的核スピン偏極のメカニズム(27pXQ 分数量子ホール効果・核スピン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXQ-2 二重量子井戸構造における電流誘起核スピン偏極及び核スピン拡散による縦抵抗の変化(27pXQ 分数量子ホール効果・核スピン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pXG-1 シンポジウム:「核スピンエンジニアリングへの挑戦」〜ナノ領域における核スピンの検出・制御とその応用に関する話題〜 : はじめに(趣旨説明)(26pXG 領域4,領域1,領域3,領域5合同シンポジウム:核スピンエンジニアリングへの挑戦〜ナノ領域における核スピンの検出・制御とその応用に関する話題〜,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pXG-1 シンポジウム:「核スピンエンジニアリングへの挑戦」〜ナノ領域における核スピンの検出・制御とその応用に関する話題〜 : はじめに(趣旨説明)(26pXG 領域4,領域1,領域3,領域5合同シンポジウム:核スピンエンジニアリングへの挑戦〜ナノ領域における核スピンの検出・制御とその応用に関する話題〜,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26pXG-1 シンポジウム:「核スピンエンジニアリングへの挑戦」〜ナノ領域における核スピンの検出・制御とその応用に関する話題〜 : はじめに(趣旨説明)(26pXG 領域4,領域1,領域3,領域5合同シンポジウム:核スピンエンジニアリングへの挑戦〜ナノ領域における核スピンの検出・制御とその応用に関する話題〜,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 9aXF-1 高純度シリコンのNMR核スピン緩和(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1)
- 6pPSA-38 La4SrCU5Oyの磁化特性(高温超伝導,領域8)
- 25aXQ-5 捻じれ振り子によるパラジウム中水素の動的振る舞い(その1)(25aXQ 超流動(restricted geometry低次元系),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波分野))