28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 平山 祥郎

  東北大理

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

• 新井田 佳孝

  NTT物性科学基礎研究所

• 高品 圭

  NTT物性科学基礎研究所

• 小野 行徳

  NTT物性科学基礎研究所

• 新井田 佳孝

  東北大理

• 高品 圭

  バース大物理

• 平山 祥郎

  東北大理:jst-erato

• 小野 行徳

  Ntt

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