小野 行徳 | Ntt

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概要

• 同名の論文著者
• Nttの論文著者

関連著者

• 小野 行徳

  NTT物性科学基礎研究所

• 小野 行徳

  Ntt

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

• 猪川 洋

  静岡大学電子工学研究所

• 猪川 洋

  静岡大学 電子工学研究所

• 高橋 庸夫

  北大

• 高橋 庸夫

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 西口 克彦

  NTT物性科学基礎研究所

• 西口 克彦

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 高品 圭

  バース大物理

• 平山 祥郎

  東北大理:erato-jst

• 猪川 洋

  Ntt物性研

• 高橋 庸夫

  東北大・工

• 高橋 庸夫

  日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 平山 祥郎

  東北大理

• 高品 圭

  NTT物性科学基礎研究所

• 開澤 拓弥

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 有田 正志

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 藤原 聡

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 小野 行徳

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 山崎 謙治

  NTT物性科学基礎研究所

• 品田 賢宏

  早稲田大学工学部

• 谷井 孝至

  早大・理工・電生

• 新井田 佳孝

  東北大理

• 堀 匡寛

  早稲田大学

• 谷井 孝至

  早稲田大学

• 品田 賢宏

  早稲田大学

• 堀 匡寛

  早稲田大学理工学研究科

• 有田 正志

  北海道大学大学院 情報科学研究科

• 太田 英二

  慶應義塾大学

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 永瀬 雅夫

  NTT物性基礎研

• 新井田 佳孝

  NTT物性科学基礎研究所

• 宮崎 康晶

  NTT物性科学基礎研究所

• 曹 民圭

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 永瀬 雅夫

  Ntt物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 宮崎 康晶

  Ntt物性科学基礎研究所:慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 太田 英二

  慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 高品 圭

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 平山 祥郎

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 永瀬 雅夫

  Ntt 物性科学基礎研

• GUAGLIARDO Filipo

  ミラノ工科大学

• 熊谷 国憲

  早稲田大学理工学研究科

• PRATI Enrico

  イタリア学術研究会議

• 藤澤 利正

  NTT物性基礎研

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 佐藤 弘明

  静岡大学電子工学研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学電気通信研究所

• 高橋 庸夫

  NTT物性基礎研

• 藤澤 利正

  東工大極低温セ

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学部

• 太田 剛

  NTT物性基礎研

• 太田 剛

  SORST-JST

• 小野 行徳

  Ntt Lsi研究所

• ブルン マークオレル

  SORST-JST

• モード ダンカン

  LCMI-CNRS

• 大泊 巌

  早大理工

• 大泊 巌

  早稲田大学理工学術院

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science

• 谷井 孝至

  早稲田大学理工学術院

• 大泊 巌

  Faculty Of Science And Engineering Waseda University

• 藤沢 利正

  Ntt 基礎研

• 大泊 巌

  早大

• 平山 祥郎

  東北大理:jst-erato

• 大泊 巌

  早稲田大学

• 遠藤 哲郎

  東北大学

• 大泊 巌

  早大・理工

• 平 圭吾

  早稲田大学

• 小松原 彰

  早稲田大学

• 佐藤 弘明

  静岡大学 電子工学研究所

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著作論文

• 28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• ナノメータMOSFETにおける容量パラメータの直接測定
• Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
• MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 25aWR-12 シリコン二次元電子系における谷偏極状態での金属絶縁体相転移(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価
• Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象(機能ナノデバイス及び関連技術)

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