Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 多数のナノドットを配列した単電子デバイスを提案した.複数ゲートと電流振動特性という単電子デバイスの特徴を利用して高い機能性を持たせ,ドットサイズのばらつきを克服することを考えた.実際にSiナノドットアレイにインプットゲートとコントロールゲートを取り付けたデバイスを作製し,基本動作を確かめた.コントロールゲート電圧を変更することにより6種類の主要な論理関数を得ることができることを示し,論理関数が選択可能なデバイスであることを確認した.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-01-25

著者

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

• 小野 行徳

  NTT物性科学基礎研究所

• 開澤 拓弥

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 有田 正志

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 猪川 洋

  静岡大学電子工学研究所

• 山崎 謙治

  NTT物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  北大

• 高橋 庸夫

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

• 猪川 洋

  静岡大学 電子工学研究所

• 小野 行徳

  Ntt

• 有田 正志

  北海道大学大学院 情報科学研究科

関連論文

• 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
• 29p-YM-7 A15型Crの電子密度分布
• A15型微粒子
• Cr微粒子の形態学的研究
• Appearance of Forbidden Reflections from Yb Smoke Particles
• 12a-DL-9 A15型タングステン薄膜の欠陥構造
• 12a-DL-8 ガス中蒸発法によって作られた多重粒界Cr微粒子
• 13a-Y-8 A15型Cr微粒子のモルフォロジーと表面エネルギー
• 29a-ZA-2 Cr 微粒子のモルフォロジーと構造
• 29a-ZA-1 Yb 微粒子における双晶
• Ytterbium Small Particles Prepared by Gas Evaporation Method
• 26p-F-1 ガス中蒸発法によるYb微粒子
• 25aYG-5 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : Si層の有効誘電率(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• CP-1-1 新探求素子(Emerging Research Device)および単電子デバイスの研究動向(CP-1.量子およびナノデバイスロードマップ,パネルセッション,ソサイエティ企画)
• 28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 23pXA-13 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : 膜厚の効果(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• ナノメータMOSFETにおける容量パラメータの直接測定
• ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 : 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 22pPSA-73 水素終端Si(111)単二重層ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 19pRC-3 SiO_2/Si/SiO_2量子井戸に閉じ込められた二次元電子系における電気抵抗の温度依存性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
• シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
• 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
• パーマロイ薄膜における磁化リップルと磁気抵抗効果(薄膜)
• MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• 未来を拓く先端技術 シリコン単電子デバイス集積化の最近の展望
• 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
• 単電子の転送と検出デバイス
• 単電子トランジスタとMOSトランジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
• PVP中に分散され、NiまたはCoで被覆したPdまたはPtナノ粒子の磁気特性
• FeCo/Ta/Fe-C/Ta/Fe薄膜の磁気抵抗効果
• Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
• Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション(多量量子ドットと機能性)
• 量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション(多量量子ドットと機能性)
• 25aWR-12 シリコン二次元電子系における谷偏極状態での金属絶縁体相転移(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 : 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
• シリコンナノ構造でのパターン依存酸化現象の観察
• 極薄SIMOX-Si層エッジからのSiO_2障壁を介した電子トンネル
• 27pPSA-58 TEMを用いたナノ微粒子の伝導測定に関する研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• ローレンツTEM・電気抵抗測定の同時実験とNi-Fe薄膜への応用
• 21aYE-1 TEM 内ナノコンタクト実験用探針の作製
• Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
• Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
• 単一電子を利用した確率共鳴 (シリコン材料・デバイス)
• 単一電子を利用した確率共鳴 (電子デバイス)
• 単電子デバイス-1個の電子で動作する究極の電子デバイス-
• シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
• 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
• SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
• 13pYB-6 シリコン二次元電子系のランダウ準位交差における抵抗スパイク(量子ホール効果, 領域 4)
• 28pYG-1 量子ホール領域におけるSIMOX MOSFETの温度と磁場依存性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 21pTL-6 SIMOX MOSFET 中量子井戸の二次元電子系 : 谷分離と二層系
• Si細線における単一電荷の検出と操作
• シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送
• SC-9-5 シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイスの進展
• 単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価
• シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送
• 単一電子を利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 単一電子を利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコン紬線MOS構造における素電荷の検出と転送
• 単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証
• 単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証
• シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイス (特集:Siナノデバイス)
• Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象(機能ナノデバイス及び関連技術)
• パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコン単電子デバイス (特集 ナノ機能性材料)
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴
• 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴
• パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
• Deterministic ドープシリコンデバイスと量子輸送現象
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
• パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
• Deterministic ドープシリコンデバイスと量子輸送現象
• 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク