Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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SOI基板上に作成したシリコン細線を酸化することによりパターン依存酸化現象が生じ、簡単に単電子トランジスタを作成できることが知られている.本研究では、このシリコン細線の取付け部のパターン形状を工夫して、酸化することにより、ダブルドットの単電子トランジスタができることを示した.更に、測定したデータとシミュレーション結果を比較することにより、これを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-02-19
著者
-
藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
-
曹 民圭
北海道大学大学院情報科学研究科
-
開澤 拓弥
北海道大学大学院情報科学研究科
-
有田 正志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
北大
-
高橋 庸夫
東北大・工
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
有田 正志
北海道大学大学院 情報科学研究科
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