25aYG-5 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : Si層の有効誘電率(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-08-18

著者

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

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