Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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Si酸化膜中のB拡散とSi自己拡散を同時に観測し,B拡散およびBの存在によるSi自己拡散への影響を調べた.B拡散についてもSi自己拡散と同様にSiO_2膜厚(Si/SiO_2界面からの距離)依存性が見られ,界面から放出されたSiOによりB拡散が促進されると考えられる.また,高濃度Bの存在下においては,B拡散,Si自己拡散ともに速くなることがわかった.これらの結果から,界面からのSiOによりB拡散,Si自己拡散ともに促進され,さらに高濃度Bの存在によりSiO拡散が速くなるとするモデルをたてた.このモデルに基づき,アニール温度,SiO_2膜厚,アニール時間,B濃度依存性に対して統一的な拡散シミュレーションを行なった.この結果より,B拡散とSi自己拡散がSIOを介し相関して起こっていることを明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-15
著者
-
影島 博之
NTT物性基礎研
-
高橋 庸夫
NTT物性基礎研
-
植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
-
白石 賢二
筑波大学物理学系
-
高橋 庸夫
北大
-
白石 賢二
筑波大物理
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
-
深津 茂人
Ntt物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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