酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
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概要
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酸化誘起歪みに伴うバンド構造変化と素子構造変調に伴う量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構 (SET内細線部において構造が縮小されているために生ずるトンネル障壁内にSi島に対応するポテンシャルが酸化誘起歪みによるバンドギャップ低下に伴い形成されSET動作が可能なポテンシャルプロファイルになるという機構)の伝導方向依存性を, 第一原理計算と変形ポテンシャル法を併用し実効ポテンシャルを用いて考察した。既に報告した[110]方向だけでなく(001)面上の任意の方向でこの機構によるSET動作が生じ得ることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-18
著者
-
影島 博之
NTT物性基礎研
-
永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
-
高橋 庸夫
NTT物性基礎研
-
白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
-
白石 賢二
筑波大学物理学系
-
永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
堀口 誠二
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
白石 賢二
筑波大物理
-
堀口 誠二
NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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