堀口 誠二 | 日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

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概要

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• 日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所の論文著者

関連著者

• 堀口 誠二

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 永瀬 雅夫

  NTT物性基礎研

• 高橋 庸夫

  NTT物性基礎研

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 永瀬 雅夫

  Ntt物性科学基礎研究所

• 白石 賢二

  筑波大物理

• 堀口 誠二

  NTT物性科学基礎研究所

• 永瀬 雅夫

  Ntt 物性科学基礎研

• 村瀬 克実

  NTT物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  北大

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

• 小野 行徳

  NTT物性科学基礎研究所

• 藤原 聡

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 平山 祥郎

  東北大理:erato-jst

• 小野 行徳

  Ntt Lsi研究所

• 田部 道晴

  Ntt Lsi研究所:静岡大学

• 堀口 誠二

  Ntt Lsi研究所

• 高橋 庸夫

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 高品 圭

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 平山 祥郎

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  NTT LSI研究所

• 村瀬 克実

  NTT LSI研究所

• 高品 圭

  バース大物理

• 堀口 誠二

  NTT LSI研:MIT

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著作論文

• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• 極薄SIMOX-Si層エッジからのSiO_2障壁を介した電子トンネル
• 21pTL-6 SIMOX MOSFET 中量子井戸の二次元電子系 : 谷分離と二層系
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構

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