白石 賢二 | NTT物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
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白石 賢二
NTT基礎研
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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伊藤 智徳
三重大学工学部理工学科
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白石 賢二
筑波大物理
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影島 博之
NTT物性基礎研
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武田 京三郎
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
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堀口 誠二
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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大野 隆央
物材機構
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小山 紀久
物材機構
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堀口 誠二
NTT物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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伊藤 智徳
三重大学工学部物理工学科
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伊藤 智徳
三重大学工学研究科
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
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岡島 康
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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太田 英二
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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太田 英二
慶大 理工
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
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寒川 義裕
九大・応力研
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田村 浩之
NTT物性基礎研
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高柳 英明
NTT物性基礎研
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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田口 明仁
NTT物性基礎研
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高柳 英明
東理大:物材機構:jst-crest
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武田 京三郎
早大理工
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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山口 栄一
Ntt基礎研
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伊藤 智徳
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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白石 賢二
筑波大計科セ:jst-crest
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武田 京三郎
早稲田大学 理工学術院
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太田 英二
慶應義塾大学
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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秋山 亨
三重大学大学院工学研究科
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住友 弘二
NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 分子生体機能研究グループ
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大野 隆央
金材技研
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村瀬 克実
NTT物性科学基礎研究所
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高河原 俊秀
NTT基礎研
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小山 紀久
慶大理工
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太田 英二
慶大理工
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伊藤 智徳
NTTフォトニクス研
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柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
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荻野 俊郎
横国大
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小林 慶裕
阪大
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高橋 庸夫
北大
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
NTT物性基礎研
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小林 慶裕
NTT物性基礎研
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高河原 俊秀
Ntt物性基礎研
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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押山 淳
東大院工
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関 一彦
名大院理
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伊藤 智徳
三重大工
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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梅澤 直人
物質材料研究機構(NIMS)
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科
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常行 真司
東大理
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大野 隆央
物材機構計算科学セ
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境 悠治
日本電子(株)
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押山 淳
東大物工
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大野 隆央
物材機構(NIMS)計算材料セ
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重川 秀実
筑波大物質工
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入澤 寿美
学習院大学
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大鉢 忠
同志社大学工学部
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小山 紀久
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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白石 賢二
NTT 物性科学基礎研究所
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山口 浩司
NTT 物性科学基礎研究所
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大野 隆央
物質 ・ 材料研究機構
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小山 紀久
金属材料技術研究所究所
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大野 隆央
金属材料技術研究所究所
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宮城島 規
早稲田大学
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小山 紀久
金材技研
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岡島 康
早大理工
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深作 克彦
早大理工
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白石 賢二
基礎研
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伊藤 智徳
三重大学大学院工学研究科物理工学専攻
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松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
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秋山 亨
三重大学工学部
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関 一彦
名大物質研・院理
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大野 隆央
金属材料技術研究所
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梅澤 直人
南カリフォルニア大
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大鉢 忠
同志壮大学工学部
-
梅澤 直人
物材機構
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大鉢 忠
同志社大・理
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寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
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纐纈 明伯
東京農工大
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セルバクマール ナイア
Ntt基礎研
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伊藤 智徳
三重大学大学院工学研究科
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押山 淳
筑波大物理
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白石 賢二
基礎研究所
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寒川 義裕
学習院大学計算機センター
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平岡 佳子
(株)東芝研究開発センター
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重川 秀実
筑波大
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入澤 寿美
学習院大計セ
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境 悠治
日本電子
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平岡 佳子
東芝 研開セ
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伊東 智徳
NTTシステムエレ研
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Nair Selvakumar
科技団単一量子点プロジェクト
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秋山 亨
三重大学工学研究科
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伊藤 智徳
三重大学大学院 工学研究科
著作論文
- 立方晶GaNの成長過程と構造安定性(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
- 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
- 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
- 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
- GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
- Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
- GaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の理論的検討 : 成長界面III
- 22aC7 GaAs表面上吸着過程に関する量子論的シミュレーション(成長界面II)
- 27p-YL-6 第一原理吸着計算に基づいたモンテカルロ法とそのGaAs薄膜成長への応用
- 26p-P-2 GaAs薄膜成長初期過程の量子論的シミュレーション
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- 31a-Z-10 GaAs及びAlGaAsにおけるDXセンターの起源
- 6p-C-3 GaAs中の深いドナー準位-DXセンター-の基底状態と最適原子配置
- 4a-C-16 単原子層挿入系における電荷移動
- 水素吸脱着によるSiGe表面の構造変化
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- 先端追跡
- 23pZN-9 まとめ : 原子レベルの酸化機構とマクロスコピックな酸化現象との関係
- シリコン表面プロセスにおける水素の役割と挙動
- 化合物半導体結晶成長過程とエレクトロンカウンティングモデル
- 5a-A-1 GaAs(001)表面におけるSi吸着初期過程の第一原理的考察
- 30p-G-5 シリコンクラスターにおける励起子の第一原理的計算
- シリコンクラスターの誘電率と励起子状態
- 半導体成長素過程の量子論(エピタキシャル成長の量子論)
- 2p-YA-1 半導体表面の構造のダイナミクス:序論
- 極薄シリコン酸化膜形成の理論
- 24pPSA-56 si酸化膜界面におけるSi原子の振る舞い
- Si/SiO_2界面形成における歪みの役割
- 25aYA-5 半導体ドット列を用いた物質設計
- 25aYA-5 半導体ドット列を用いた物質設計
- 25aK-7 半導体ドット列における強磁性
- 27aY-13 Si(100)表面酸化に伴う表面からのSi原子放出量の理論検討