高柳 英明 | 東理大:物材機構:jst-crest

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概要

• 同名の論文著者
• 東理大:物材機構:jst-crestの論文著者

関連著者

• 高柳 英明

  東理大:物材機構:jst-crest

• 高柳 英明

  NTT物性基礎研

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 中ノ 勇人

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 中ノ 勇人

  NTT物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 齊藤 志郎

  NTT物性基礎研

• 斎藤 志郎

  日本電信電話株式会社ntt物性基礎研:科技団crest

• 田中 弘隆

  Ntt Brl

• 山口 真澄

  NTT物性基礎研

• 赤崎 達志

  NTT基礎研

• 仙場 浩一

  NTT物性基礎研

• 高柳 英明

  NTT基礎研究所

• 仙場 浩一

  Ntt物性科学基礎研究所

• 田中 弘隆

  NTT物性基礎研

• 高柳 英明

  東理大理

• 野村 晋太郎

  筑波大物質創成

• 宮越 賢治

  東京理科大:crest-jst

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 井上 亮太郎

  東理大:crest-jst

• 佐藤 大輔

  東大院理

• 渡辺 英一郎

  物材機構

• 平山 祥郎

  Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst

• 津谷 大樹

  物材機構

• 野村 晋太郎

  筑波大院数物

• 津谷 大樹

  理研:東工大総理工

• 津谷 大樹

  (独)物質・材料研究機構

• 沓澤 竜弥

  東理大理工

• 津村 公平

  筑波大物質創成

• 新田 淳作

  Ntt物性科学基礎研究所

• 高柳 英明

  東理大

• 宮下 宣

  NTT-AT

• 丸山 達朗

  NTT-AT

• 齋藤 志郎

  NTT物性科学基礎研究所

• 宗片 比呂夫

  東工大像情報

• 宮下 宣

  NTTアドバンステクノロジ

• 宗片 比呂夫

  東工大・像情報

• 白石 賢二

  筑波大物理

• 新田 淳作

  NTT物性科学基礎研

• 田仲 由喜夫

  名大工

• 関根 佳明

  NTT物性研

• 関根 佳明

  NTT-BRL

• 榎木 孝知

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 石黒 亮輔

  東理大理

• 石黒 亮輔

  東理大

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 新田 淳作

  NTT基礎研究所

• 木村 敬

  神奈川大理

• 野村 晋太郎

  NTT物性基礎研

• 宗片 比呂夫

  東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設

• 末宗 幾夫

  北大:crest-jst

• 高柳 英明

  物材機構MANA

• 上田 正仁

  CREST-JST

• 沓澤 竜弥

  NTT物性研

• 木村 敬

  NTT物性基礎研

• 佐藤 大輔

  筑波大物質創製

• Tanaka Y

  Ntt Interdisciplinary Research Lab. Tokyo

• 横山 毅人

  東大工

• 田仲 由喜夫

  名大院工

• 佐々木 智

  NTT物性基礎研

• 浅野 泰寛

  北大工

• Golubov Alexander

  Twente Univ

• 横山 毅人

  名大工

• 井上 亮太郎

  東理大

• 田中 和典

  浜ホト中研

• 末宗 幾夫

  北大

• 毛利 拓也

  Jst-crest:東理代理

• 角柳 孝輔

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 原田 裕一

  NTT物性基礎研

• 神尾 充弥

  東理大

• 金 鮮美

  物材機構

• 末宗 幾夫

  北大電子研

• 佐々木 智

  Nit物性基礎研

• 角柳 孝輔

  NTT物性基礎研

• 高柳 英明

  東京理科大

• 宗片 比呂夫

  東工大院 像情報工学研究施設

• 佐久 規

  NTT-AT

• 高柳 英明

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• Alexander Golubov

  Twente大

• 佐々木 智

  Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科

• 佐々木 智子

  NTT基礎研

• 高柳 英明

  CREST-JST

• 柳 暁志

  東工大院

• 武末 出美

  早大:jst-crest

• 宮臺 信一郎

  青学理工

• Tanuma Y

  Nagoya Univ. Nagoya Jpn

• 浅野 秦寛

  北大

• 宮越 賢治

  CREST-JST

• 春山 純志

  青学理工:jst-crest

• Tanaka Y

  Suwa Trust Co. Ltd. Ohmori Tokyo

• Richter A.

  Ntt物性基礎研:crest-jst

• 田中 和典

  東理大理工

• 目野 誉善

  NTT-AT

• 齊藤 志郎

  NTT NTT物性基礎研

• 田中 弘隆

  NTT NTT物性基礎研

• 中ノ 勇人

  NTT NTT物性基礎研

• 仙場 浩一

  NTT NTT物性基礎研

• 高柳 英明

  NTT NTT物性基礎研

• 田中 弘隆

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• Golubov Alexander

  Twente大

• 宮越 賢治

  東京理科大

• 古賀 貴亮

  NTT物性科学基礎研究所、NTT電信電話株式会社

• 宮台 信一郎

  Ntt物性基礎研:青学大理工

• 佐々木 智

  Ntt物性基礎研:東北大院理

• 前野 悦輝

  京大院理

• 天羽 真一

  ICORP-JST

• 平山 祥郎

  東北大理

• 田仲 由喜夫

  新潟大・理

• 田仲由 喜夫

  名古屋大

• 黒木 和彦

  電通大量子・物質工

• 舘野 功太

  NTT物性科学基礎研究所

• 平川 一彦

  東大生研

• 小林 直樹

  東大院理

• 前野 悦輝

  京大国際融合創造センター・理

• 中村 壮智

  京大院理

• 川村 稔

  NTT物性基礎研

• 小林 暁

  東工大・像情報

• 畠中 憲之

  NTT物性科学基礎研究所

• 平川 一彦

  Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構

• 有田 亮太郎

  東大理

• 柴田 憲治

  東大ナノ量子機構

• 赤崎 達志

  北大

• 末宗 幾夫

  MANA, 物材機構

• 中島 翔

  東理大

• 気谷 卓

  東理大

• 深川 尚義

  東理大

• 柴田 憲治

  東大生研

• 西尾 隆宏

  理研

• 石橋 幸治

  理研

• 齊藤 志郎

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 影井 誠一郎

  東京理科大

• Maeno Y

  Kyoto Univ. Kyoto Jpn

• Maeno Y

  Department Of Physics Faculty Of Science Hiroshima University

• 春山 純志

  青学大理工

• 川村 稔

  理研

• 畠中 憲之

  広大院総合科

• 平川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• 平山 祥朗

  NTT物性基礎研

• 北川 広野

  Crest-jst:東理大理

• 豊田 悦子

  Ntt物性基礎研

• 武末 出美

  青学理工

• 春山 純志

  青学理工

• 姜 承求

  筑波大物質創成

• 井上 亮太郎

  CREST-JST

• 澤 雄生

  名大工

• 武末 出美

  NTT物性基礎研

• 宮臺 信一郎

  NTT物性基礎研

• 小林 直樹

  青学大理工

• 時田 淳

  青学大理工

• 野村 雅人

  青学大理工

• 宮台 信一郎

  青学理工

• 高沢 一也

  青学理工

• 武田 亜希

  青学理工

• 堀 七波

  青学理工

• 丸山 達朗

  NTP-AT

• 宮下 宣

  NTP-AT

• 小野 絢哉

  CREST-JST

• 西沢 望

  物材機構MANA

• 板橋 宜幸

  東理大

• 中川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• TANAKA Yasumoto

  Electrotechnical Laboratory

• 小林 慶裕

  NTT物性基礎研

• 前野 悦輝

  京都大院理

• 齊藤 志郎

  CREST-JST

• 田中 弘隆

  CREST-JST

• Johansson Jan

  CREST-JST

• 仙場 浩一

  CREST-JST

• 上田 正仁

  NTT物性研

• Thorwart M.

  デュッセルドルフ大

• 上田 正仁

  NTT NTT物性基礎研

• 上田 正仁

  科技団CREST

• Mooij J.

  デルフト工科大学

• 毛利 拓也

  東京理科大学

• 斉藤 志郎

  NTT物性研

• Mooij J.

  デルフト工科大

• Richter Andreas

  NTT物性科学基礎研究所

• Tanaka Y

  Department Of Applied Physics Nagoya University:crest Japan Science And Technology Corporation (jst)

• Tanaka Y

  The Institute Of Physical And Chemical Research

• Maeno Yoshiteru

  Department Of Physics Kyoto University : International Innovation Center Kyoto University

• 斎藤 志郎

  NTT物性科学基礎研究所

• 野村 晋太郎

  筑波大物理

• 鐘元 良

  東理大理

• 神崎 賢一

  NTT物性基礎研

• 古賀 貴亮

  日本電子電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 新田 淳作

  日本電子電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 赤崎 達志

  日本電子電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 高柳 英明

  日本電子電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 平川 一彦

  東京大

• 姜 承求

  Ntt物性基礎研:crest-jst:筑波大物質創成

• 榎木 孝知

  LSI研究所

• 豊田 悦子

  NTT基礎研究所

• B.J van

  フローニンゲン大

• 鐘元 良

  東理大理:ntt物性基礎研

• Maeno Y

  Department Of Physics Faculty Of Science The University Of Tokyo

• 宮越 賢治

  東理大物理

• 高柳 英明

  東理大物理

• 佐藤 大輔

  筑波大理

• 宮越 賢治

  東理大理

• 佐藤 大輔

  筑波大物理

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著作論文

• 21pHW-5 自己形成InAs量子ドットを接合に用いたSQUIDの研究(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHY-9 マイクロ波照射下における超格子構造の付加した超伝導体-半導体-超伝導体接合の輸送特性(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 20pHY-8 超伝導発光ダイオード構造の直流輸送特性による発光再結合のモニタリング(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 18aRC-8 超伝導磁束量子ビットによるLC共振回路の非古典的状態の生成(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30aXC-3 磁束量子ビットの縮退点近傍でのコヒーレンス時間(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aTB-8 カゴメ型量子ドット列における磁場効果
• 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pYA-2 超伝導発光ダイオード構造の直流電気特性(超伝導・電荷密度波,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 超伝導体/希薄磁性半導体接合の輸送特性(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
• 29pZP-1 NbN/多層カーボンナノチューブ接合におけるキャリア輸送特性 : 朝永-ラッティンジャー液体的振る舞いと超伝導の相関(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
• 23aXF-3 多層カーボンナノチューブにおける近接効果超伝導電流
• 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXG-11 p-InMnAs/n-InAs/Nb構造におけるスピン偏極電流の注入と検出(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aWF-10 環境と結合した超伝導磁束量子ビットのラビ振動(微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pYT-10 超伝導磁束量子ビットにおける多光子ラビ振動の観測(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 27aYD-7 超伝導リングにおける巨視的量子重ね合わせの実現(超伝導)(領域6)
• 28aYA-3 超伝導磁束量子状態を用いた量子ビット(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
• 27pYG-15 巨視的重ね合わせ状態間の多光子吸収過程(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
• 21aTL-1 超伝導磁束量子ビットの読み出しの温度依存性
• 28aYH-6 超伝導磁束量子ビットのスペクトロスコピー
• 超伝導の磁束状態を用いた量子ビットの状態測定
• 17pTB-1 3つのジョセフソン接合を用いた超伝導磁束量子ビットにおけるエンタングルメント状態実現方法
• 26pYT-11 2磁束ビット系における磁束のみの制御でBerry位相を検出する断熱過程(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 27pYG-14 2つの磁束量子ビットにおけるエンタングルした状態のデコヒーレンス(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
• 12aTM-5 超伝導リングでの巨視 2 準位状態の位相測定(超伝導, 領域 6)
• 19aYH-3 DC-SQUIDにおけるリトラッピング電流の磁場依存性
• 19aRD-1 超伝導体・半導体接合の顕微光照射によるイメージング(超伝導(近接効果),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 19aTA-10 InAlAs/InGaAsヘテロ構造における負の光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pYL-3 超伝導・半導体接合への光照射効果(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 29aYH-4 パターン形成表面ゲートにより制御された半導体量子ドット
• 19aYH-4 メゾスコピックSNSジョセフソン接合における異常な超伝導電流の振る舞い
• 19pYL-4 バリスティックInGaAs-based超伝導弱結合における多重Andreev反射による巨大熱雑音の観測(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 31a-Q-10 InGaAs/InAlAs系ヘテロ構造のスピン軌道相互作用
• InAlAs/InGaAs系ヘテロ構造の磁気輸送特性
• InAs 層挿入 InAlAs/InGaAs 逆構造 HEMT を用いた JOFET の素子特性
• 28aYH-10 微小ジョセフソン接合 SQUID による磁束量子ビット測定における電流値の揺らぎに関する考察
• 29pTB-3 超伝導磁束量子干渉計(SQUID)における共鳴現象
• 19pRC-10 超伝導体/カーボンナノチューブ・ネットワーク系の輸送特性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30aXC-5 ジョセフソン非調和振動子による超伝導量子ビット読み出しの量子古典対応とデコヒーレンス(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-11 バックゲート付き量子井戸における極低電子密度領域での電子有效質量(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXF-2 超伝導体/希薄磁性半導体接合への非平衡キャリア注入効果(27pXF 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 18pYJ-13 量子ドット超格子における平坦バンド強磁性
• 18pYJ-12 プラケット型量子ドット超格子における超伝導の可能性
• 18aYG-2 非弱局在解析によるInGaAs量子井戸における零磁場スピン分離の構造反転対称性依存の研究
• 27aYS-5 非弱局在現象を用いたInGaAs/InAlAsヘテロ界面でのスピン物性の解析と外部電場による制御
• 23pSA-2 In_Ga_As/InAlAsヘテロ構造における非局在現象の解析
• 17pYG-7 強磁場中における超伝導体/2次元電子ガス接合の輸送特性
• 14aYB-11 バックゲート付き量子井戸における荷電励起子(量子ホール効果, 領域 4)
• 2ゲート構造を用いた無反射トンネルの観測
• 26pYM-4 アンドレーエフ準粒子干渉計に対する静電効果
• 27aZC-8 励起子の量子シーソー効果 : 発光測定(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 25aYT-5 分数量子ホール領域におけるバックゲート付き量子井戸中荷電励起子(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYC-9 ゲート付き Be-δドープ GaAs 量子井戸発光の電子密度依存性 II(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 28pYF-9 ゲート付Be-δドープGaAs量子井戸発光の電子密度依存性(量子井戸・超格子)(領域4)
• 26pYM-2 超伝導ジョセフソン接合リングでの巨視的コヒーレンス
• 30p-A-8 メゾスコピックな強磁性金属の伝導度に現われる超伝導近接効果
• 2p-G-4 近接効果による伝導度補正に対する位相の量子揺らぎの影響
• 25aPS-69 トンネル型マイクロSQUID磁束計による光励起少数電子スピン観測システムの開発(25aPS-3 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25aHD-11 InAsナノワイヤを用いた単一モード中の超伝導電流(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aEG-7 強磁性p-InMnAs上に形成したNb/n-InAs/Nb接合(26aEG 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 26aEG-6 NbNを用いた超伝導体-半導体-超伝導体接合の作製とその電気輸送特性(26aEG 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 13pYC-7 量子ドット列における調節可能な RKKY 交換相互作用(量子ドット : 理論, 領域 4)
• 25aYA-5 半導体ドット列を用いた物質設計
• 25aYA-5 半導体ドット列を用いた物質設計
• 25aK-7 半導体ドット列における強磁性
• 30aYA-4 量子ドットが結合した量子細線の電気伝導特性(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 21aTM-10 自己形成InAs量子リングにおける量子干渉(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aGE-4 Nb/Ru/Sr_2RuO_4超伝導接合を用いたマイクロSQUIDの温度特性(21aGE ルテニウム酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21pTE-1 グラフェンを用いた超伝導量子干渉計の作製と輸送測定(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pHC-14 NbNを用いた超伝導体-半導体-超伝導体接合の作製とその磁場下における輸送特性(21pHC 超伝導・密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 23aSA-11 長いコヒーレンス時間をもつ量子ビット作成の検討
• 24aK-7 帯電効果のある「超伝導体/常伝導体」微小接合におけるCooper対
• S-N-S接合におけるファブリー・ペロー干渉の研究
• 19aYC-4 アクセプターをδドープした80nmのGaAs量子井戸におけるゲートによる電荷誘起と電場効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aZC-7 励起子の量子シーソー効果 : 理論(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 30a-Q-12 量子ホール状態におけるアンドレーエフ反射
• 30a-Q-12 量子ホール状態におけるアンドレーエフ反射
• 量子ポイントコンタクトを用いたアンドレーエフ反射の観測

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