31a-Q-10 InGaAs/InAlAs系ヘテロ構造のスピン軌道相互作用
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
21pHW-5 自己形成InAs量子ドットを接合に用いたSQUIDの研究(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20pHY-9 マイクロ波照射下における超格子構造の付加した超伝導体-半導体-超伝導体接合の輸送特性(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
-
20pHY-8 超伝導発光ダイオード構造の直流輸送特性による発光再結合のモニタリング(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
-
30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
-
BCB層間膜を用いた配線の高速伝播特性
-
InAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いたダイナミック分周器の遅延時間解析
-
18aRC-8 超伝導磁束量子ビットによるLC共振回路の非古典的状態の生成(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
30aXC-3 磁束量子ビットの縮退点近傍でのコヒーレンス時間(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
13p-D-14 超伝導量子ドットの準粒子状態
-
28p-P-1 超伝導量子ドットにおける準粒子状態
-
27aTB-8 カゴメ型量子ドット列における磁場効果
-
28a-YG-10 ジョセフソン電界効果トランジスタにおける臨界電流のモデル研究
-
6a-N-8 強磁性体電極による二次元電子ガスへの偏極スピン注入効果
-
21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
25pYA-2 超伝導発光ダイオード構造の直流電気特性(超伝導・電荷密度波,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
-
超伝導体/希薄磁性半導体接合の輸送特性(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
-
29pZP-1 NbN/多層カーボンナノチューブ接合におけるキャリア輸送特性 : 朝永-ラッティンジャー液体的振る舞いと超伝導の相関(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
-
23aXF-3 多層カーボンナノチューブにおける近接効果超伝導電流
-
SrTiO_3キャパシタをレベルシフト回路に用いたSCFL準スタティック分周器の設計
-
18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
29p-A-10 ^3He weak link系でみる非線型効果と摩擦
-
27pXG-11 p-InMnAs/n-InAs/Nb構造におけるスピン偏極電流の注入と検出(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
-
30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
-
20aWF-10 環境と結合した超伝導磁束量子ビットのラビ振動(微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
26pYT-10 超伝導磁束量子ビットにおける多光子ラビ振動の観測(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
27aYD-7 超伝導リングにおける巨視的量子重ね合わせの実現(超伝導)(領域6)
-
28aYA-3 超伝導磁束量子状態を用いた量子ビット(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
-
27pYG-15 巨視的重ね合わせ状態間の多光子吸収過程(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
-
21aTL-1 超伝導磁束量子ビットの読み出しの温度依存性
-
28aYH-6 超伝導磁束量子ビットのスペクトロスコピー
-
超伝導の磁束状態を用いた量子ビットの状態測定
-
17pTB-1 3つのジョセフソン接合を用いた超伝導磁束量子ビットにおけるエンタングルメント状態実現方法
-
26pYT-11 2磁束ビット系における磁束のみの制御でBerry位相を検出する断熱過程(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
27pYG-14 2つの磁束量子ビットにおけるエンタングルした状態のデコヒーレンス(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
-
12aTM-5 超伝導リングでの巨視 2 準位状態の位相測定(超伝導, 領域 6)
-
19aYH-3 DC-SQUIDにおけるリトラッピング電流の磁場依存性
-
19aRD-1 超伝導体・半導体接合の顕微光照射によるイメージング(超伝導(近接効果),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
-
19aTA-10 InAlAs/InGaAsヘテロ構造における負の光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19pYL-3 超伝導・半導体接合への光照射効果(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
-
29aYH-4 パターン形成表面ゲートにより制御された半導体量子ドット
-
超伝導単一電子トランジスタでの臨界電流の振る舞い
-
29p-M-10 超伝導単一電子トランジスタにおけるコヒーレントクーパー対トンネリング
-
Two types of"proximity"effect in mesoscopic normal metal-superconductor structures
-
29a-ZB-4 InAs-ABリングにおけるスピン軌道相互作用の効果
-
29a-ZB-4 InAs-ABリングにおけるスピン軌道相互作用の効果
-
26a-YG-3 二次元電子ガスInAsを用いたABリングにおけるコンダクタンス振動
-
26a-YG-3 二次元電子ガスInAsを用いたABリングにおけるコンダクタンス振動
-
31a-Q-4 強磁性体/InAs二次元電子ガス/強磁性体構造における磁気抵抗
-
31a-Q-4 強磁性体/InAs二次元電子ガス/強磁性体構造における磁気抵抗
-
6a-N-8 強磁性体電極による二次元電子ガスへの偏極スピン注入効果
-
31a-Q-10 InGaAs/InAlAs系ヘテロ構造のスピン軌道相互作用
-
InAlAs/InGaAs系ヘテロ構造の磁気輸送特性
-
InAs 層挿入 InAlAs/InGaAs 逆構造 HEMT を用いた JOFET の素子特性
-
K帯アクティブインダクタ
-
40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
-
40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
-
40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
-
40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
-
InP HEMTによる80 Gbit/sマルチプレクサIC
-
40Gbit/s級光伝送システム用EX-OR/NORIC
-
8a-X-8 長距離位相コヒーレント効果II
-
入力バッファを除いたInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いたスタティックおよびダイナミックTFFの解析
-
28a-YG-11 超伝導/2DEG接合の抵抗が示す再帰現象のゲート制御
-
6a-N-7 超伝導リングと結合した準バリスティック2次元電子ガスの磁気抵抗振動
-
5p-N-13 長くて狭い半導体チャネルで結合した超伝導素子
-
6a-N-7 超伝導リングと結合した準バリスティック2次元電子ガスの磁気抵抗振動
-
2ゲート構造を用いた無反射トンネルの観測
-
InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
-
InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
-
InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
-
InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
-
31p-Y-2 微小ジョセフソン接合における電圧スパイクII
-
The"proximity"effect in the conductance of mesoscopic normal metal-superconductor structures
-
低温STMによるNb/InAs/Nb系のトンネル分光
-
2p-G-4 近接効果による伝導度補正に対する位相の量子揺らぎの影響
-
28a-YG-9 メゾスコピックな超伝導体・常伝導金属構造におけるπ-シフトした磁気コンダクタンス振動
-
5p-N-10 Two mechanisms of the "proximity" effect in mesoscopic normal metal-superconductor structures
-
28a-L-13 S/N/S接合における巨視的量子トンネル効果
-
S-N-S接合におけるファブリー・ペロー干渉の研究
-
27p-X-12 S-N-S接合におけるファブリー・ペロー干渉の研究
-
5a-J-14 S/N/S接合におけるUCF
-
5a-J-14 S/N/S接合におけるUCF
-
1p-T-14 アンドレーエフ反射の第2量子化表示II
-
28p-P-3 アンドレーエフ反射の第2量子化表示
-
27a-B-6 アンドレーエフ反射で制御される準粒子干渉計
-
27p-W-11 Nb/InAs/Nb超伝導接合におけるサブギャップ構造
-
25a-ZB-8 n^+-GaAs/GaAs/InAs/Nb系のトンネル分光
-
13p-D-11 S/N/S接合における最大超伝導電流の極低温下での特性
-
13p-D-12 S/N/S接合における最大超伝導電流の揺らぎ
-
31p-Y-1 微小ジョセフソン接合における光助長巨視的トンネル効果
-
28p-P-4 InGaAs/InAlAs系を用いたSNS接合における多重アンドレーエフ反射
-
30a-Q-12 量子ホール状態におけるアンドレーエフ反射
-
30a-Q-12 量子ホール状態におけるアンドレーエフ反射
-
量子ポイントコンタクトを用いたアンドレーエフ反射の観測
-
2p-YH-6 コヒーレントアンドレーエフ反射による極小抵抗の観測(2pYH 低温(超伝導ハイブリッド構造),低温)
-
2p-YH-9 超伝導量子ポイントコンタクトにおける伝導度量子化(2pYH 低温(超伝導ハイブリッド構造),低温)
-
2p-YH-8 S-N-S接合の臨界電流に対するゲート電圧の影響(2pYH 低温(超伝導ハイブリッド構造),低温)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク