40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
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概要
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InP HEMTを用いて40Gbit/s光伝送用ICを実現するための素子設計技術、製造技術に関して述べる。まず、回路の遅延時間とFETの等価回路定数を結びつける解析式を用いて40Gbit/s動作に必要な素子性能を明らかにする。次にこの目標値を実現する素子製造技術について述べる。集積回路製作に必要な素子特性のばらつきの抑止策につても述べる。最後に実現したICの性能、熱的安定性についてもふれる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-20
著者
-
深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
-
山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
-
楳田 洋太郎
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
石井 康信
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
北林 博人
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
石井 康信
Nttフォトニクス研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研
-
山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
深井 佳乃
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
北林 博人
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
楳田 洋太郎
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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