超高速ディジタルIC用InP系HEMT
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概要
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近年、10Gbit/s光伝送システム等、来るマルチメディア時代を支えるインフラストラクチャが構築されつつあり、更なる大容量化と経済化のためにIC高速化の需要は今後も続くと考えられる。近年のデバイス技術は、GaAS基板上のMESFET.HFET.HBT等の化合物半導体トランジスタに、InP基板上のInAlAs/InGaAs HEMTやInP/InGaAs HBTも加わり、トランジスタの高速性は着実に向上している。特にInP系HEMTは、その低雑音性から、主としてミリ波帯アナログ素子として研究開発が行われているが、我々はディジタルIC応用の可能性についても検討を重ねてきた。ここでは、次世代超高速ディジタルICを支えるFET特性について考察を行い、InP系HEMT ICの試作結果と併せて議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
石井 康信
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
榎木 孝知
Ntt Lsi研究所
-
石井 康信
Nttフォトニクス研究所
-
石井 康信
Ntt Lsi研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研
-
楳田 洋太郎
NTT LSI研究所
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