高利得増幅器の低雑音設計
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
InAlAs/InGaAsHEMTのようなg_mの高いトランジスタを用いて増幅器の設計を行う場合、ミリ波帯においても安定係数(K)が1以下となり、抵抗または負帰還による回路の安定化が必要となる。本報告では、各種の安定化設計法により低雑音増幅器を設計したときの、利得(G)と雑音指数の関係について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
石井 康信
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
石井 康信
Ntt Lsi研究所
-
楳田 洋太郎
NTT LSI研究所
-
榎本 孝知
Ntt Lsi研究所
-
楳田 洋太郎
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
関連論文
- C-10-12 BCB層間膜配線とInP系HEMTを用いたSCFLスタティック分周器
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- BCB層間膜を用いた配線の高速伝播特性
- InAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いたダイナミック分周器の遅延時間解析
- SrTiO_3キャパシタをレベルシフト回路に用いたSCFL準スタティック分周器の設計
- ECRスパッタ法による低温堆積SrTiO_3薄膜
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた集積回路技術
- 高誘電体比誘電率の高周波特性
- MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
- MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
- MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
- InP HEMTを用いた46 Gb/sスーパーダイナミック型識別回路モジュール
- InP HEMTによる40Gbit/s MUX/DEMUX モジュール
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- PON用高感度・低コスト光トランシーバ技術 (特集 光ネットワーク用光モジュール技術)
- PON用バースト伝送対応光受信回路技術 (特集 光ネットワーク用光モジュール技術)
- C-12-32 1.25Gbit/sバースト伝送用CDRIC(C-12.集積回路C(アナログ),エレクトロニクス2)
- 1.25Gb/s PON用高速応答バースト光受信IC(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- C-12-16 1.25Gbit/sバースト対応高感度プリアンプIC(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
- C-12-15 1.25 Gb/s PONシステム対応バーストモード光受信器(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
- B-10-89 1.25 Gbit/s PON OLT用光送受信モジュール(B-10. 光通信システムB(光通信), 通信2)
- C-10-5 縦積み型構成による高速ドライバ増幅回路の検討
- C-10-16 SCFL回路の負荷抵抗を接地する構成における高速動作条件
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- InP HEMTによる80 Gbit/sマルチプレクサIC
- 40Gbit/s級光伝送システム用EX-OR/NORIC
- InGaAs/InAlAs/InP HEMTによる80Gbit/s動作の2:1マルチプレクサIC
- InGaAs/InAlAs/InP HEMTによる80Gbit/s動作の2:1マルチプレクサIC
- InGaAs/InAlAs/InP HEMTによる80Gbit/s動作の2:1マルチプレクサIC
- 入力バッファを除いたInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いたスタティックおよびダイナミックTFFの解析
- 波形クリップを考慮したときのSCFL分周器動作速度の負荷抵抗依存性
- 超高速ディジタルIC用InP系HEMT
- 多重反射の影響を考慮したSCFLインバータ遅延時間解析
- pn接合レベルシフトダイオードを有する超高速InAlAs/InGaAs HEMT IC
- 超高速InP系ヘテロ構造デバイス技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- 伝播遅延を考慮したInAlAs/InGaAs HEMT SCFLインバータ遅延時間解析
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- EOSによるリングオシレータの評価
- 16dB,DC〜50GHz InAlAs/InGaAs HEMT損失補償型分布ベースバンド増幅器IC
- DC〜60GHz帯InAlAS/InGaAs HEMT低損失型分布ベースバンド増幅器IC
- 高利得増幅器の低雑音設計
- InAlAs/InGaAs/InP HEMT雑音特性のデバイスパラメータ感度解析