高誘電体比誘電率の高周波特性
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概要
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高・強誘電体の半導体への応用がDRAMや高周波ICのon chip容量などの分野で精力的に進められている。これらの用途では、直流抵抗ばかりでなく、誘電体の高周波特性が重要であるが、半導体基板上に形成された誘電体薄膜の高周波特性を正確に測定した例は少ない。高周波領域では誘電体容量周辺の寄生効果が顕著になり、これを如何に除くかがポイントとなる。50GHzまでのSパラメータ測定時に寄生効果を評価用素子で見積ることによって、比誘損失を精度よく測定することを可能としたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
石井 康信
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
活田 健治
NTT LSI研究所
-
石井 康信
Nttフォトニクス研究所
-
石井 康信
Ntt Lsi研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研
-
活田 健治
NTTLSI研究所
-
活田 健治
Nttフォトニクス研
-
楳田 洋太郎
NTT LSI研究所
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