InGaAs/InAlAs/InP HEMTによる80Gbit/s動作の2:1マルチプレクサIC
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概要
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InP系HEMTにより超高速動作の2:1信号多重化器 (マルチプレクサ) ICを開発した。低誘電材料を層間絶縁膜とする金2層配線プロセスを導入し、1層グランド/2層信号配線とするマイクロストリップ線路 (MSL) を高速信号のセル間配線に導入した。MSL構造は信号伝搬速度を向上できるとともに、内部論理回路の出力インピーダンスと線路インピーダンスの整合度を格段に向上できる。これにより、従来配線では60Gbit/s以上の動作領域で回路速度律速要因となっていた信号多重反射に起因する信号波形歪みを大幅に低減することが可能となった。本配線技術を導入した試作ICをオンウェハー評価した結果、80Gbit/sの世界最高速動作を達成した。従来配線による前試作 (64Gbit/s動作) に比して20%の速度向上を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-23
著者
-
楳田 洋太郎
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
榎木 孝知
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
尾辻 泰一
Ntt 光ネットワークシステム研究所
-
尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研
-
村田 浩一
NTT 光ネットワークシステム研究所
-
楳田 洋太郎
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
尾辻 康一
九州工大
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