0.1μm級GaAs MESFETを用いた超高速識別器IC
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概要
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マルチメディアの進展に伴い基幹伝送システムでは10 Gbit/sを超えるさらなる大容量化が要求される。GaAs MESFETは40 Gbit/s級システムを実現するデバイスとして有力な一候補である。今回, 光通信システムのキーデバイスである識別器にについてフリップフロップ(FF)にスーパーダイナミックD-FFを, デバイスには0.1μm級のGaAs MESFETを用いて検討し良好な結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山口 聡
工学院大学工学部電子工学科
-
平野 真
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
尾辻 泰一
Ntt 光ネットワークシステム研究所
-
徳光 雅美
Ntt フォトニクス研
-
徳光 雅美
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
村田 浩一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
尾辻 泰一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
山口 聡
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
尾辻 康一
九州工大
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