超高速ICに向けた0.1μmGaAsMESFET技術
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概要
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将来の広帯域通信システムの構築に向けて、超高速ICへの要求が高まっている。これまで、Quartermicron級GaAs-MESFET技術を用いて10Gb/sを越える超高速ICが各研究機関から報告されている。更なる高速化にはゲート長の短縮、及びそれに付随した極微細デバイス構成技術が不可欠である。今回、20〜40Gb/sICに向けた0.1μmゲートGaAs-MESFET技術を開発し、超高速性能を確認したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
徳光 雅美
Ntt フォトニクス研
-
山根 康朗
NTT LSI研究所
-
徳光 雅美
NTT LSI研究所
-
小野寺 清光
NTT LSI研究所
-
山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
-
山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
青山 真二
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
小野寺 清光
NTTフォトニクス研究所
-
青山 真二
NTT LSI研究所
-
村田 浩一
NTT LSI研究所
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