山根 康朗 | NTTシステムエレクトロニクス研究所

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• 山根 康朗

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 山根 康朗

  NTTフォトニクス研究所

• 西村 一巳

  NTT LSI研究所

• 西村 一己

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 西村 一己

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 西村 一巳

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 山崎 王義

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 入戸野 巧

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 西村 一巳

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研

• 小野寺 清光

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 小野寺 清光

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山根 康朗

  NTTエレクトロニクス(株)

• 山根 康朗

  NTT LSI研究所

• 山根 康朗

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 深井 佳乃

  NTTフォトニクス研究所

• 楳田 洋太郎

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 榎木 孝知

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 石井 康信

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 北林 博人

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 石井 康信

  Nttフォトニクス研究所

• 楳田 洋太郎

  Nttフォトニクス研究所

• 楳田 洋太郎

  Nttフォトニクス研

• 徳光 雅美

  Ntt フォトニクス研

• 深井 佳乃

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

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• 楳田 洋太郎

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 杉谷 末広

  Ntt フォトニクス研

• 徳光 雅美

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  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 井上 考

  NTT LSI研究所

• 杉谷 末広

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• 青山 真二

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

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• 菅原 裕彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 徳光 雅美

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• 宮本 裕

  NTT未来ねっと研究所

• 米永 一茂

  NTT未来ねっと研究所

• 村田 浩一

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• 山根 康朗

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 鳥羽 弘

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• 米山 幹夫

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• 広田 哲夫

  金沢工業大学

• 村田 浩一

  日本電信電話株式会社

• 今井 祐記

  Nttエレクトロニクス株式会社

• 上綱 秀樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 菊池 博行

  Nttエレクトロニクス

• 菅原 裕彦

  NTTアドバンステクノロジ(株)

• 徳光 雅美

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス

• 徳光 雅美

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 村口 正弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 日向 文明

  NTT LSI研究所

• 小野寺 清光

  NTT LSI研究所

• 神 好人

  Ntt 通信エネルギー研

• 西村 一巳

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• 神 好人

  NTT システムエレクトロニクス研究所

• 村田 浩一

  NTT システムエレクトロニクス研究所

• 山根 康朗

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• 宮澤 弘

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• 山崎 肇

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• 木村 俊二

  Ntt未来ねっと研究所

• 山根 康朗

  NTTLSI研究所

• 広田 哲夫

  NTTワイヤレスシステム研究所

• 日向 文明

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• 杉谷 末広

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• 小野寺 清光

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• 村田 浩一

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 青山 真二

  NTT LSI研究所

• 村田 浩一

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• 西村 一巳

  NTTLSI研究所

• 徳光 雅美

  NTTLSI研究所

• 平野 真

  NTTLSI研究所

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著作論文

• InP HEMTを用いた低消費電力スイッチマトリクスIC
• InGaP/InGaAs/GaAs-HMESFETの耐圧向上
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• 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
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• 新BP-LDD構造0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFET
• 耐熱ゲートGaAs/InGaAs/GaAsMESFET
• 0.1μm級ゲートGaAs-MESFETを用いたミリ波帯増幅器
• MMIC用二重LDD型H-MESFET
• 超高速集積回路用GaAs MESFETの0.1μm WSiNゲート形成技術

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