0.1μm級ゲートGaAs-MESFETを用いたミリ波帯増幅器
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概要
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最近、高速・大容量通信ネットワークシステムの構築に向け、高速・高周波デバイスの需要が高まっている。これまで我々は、均一性、再現性に優れたプレーナ構造セルフアライン n^+イオン注入 GaAs-MESFET の開発を行ない、0.1μm 級ゲート構造で高性能化を検討してきた。今回、帰還容量を低減して、更に利得を向上させた素子構造の開発を行ない、また、60GHz帯増幅器を試作して良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
西村 一巳
NTT LSI研究所
-
山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
-
小野寺 清光
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
小野寺 清光
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
西村 一巳
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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