InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETを用いたミリ波帯増幅器
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概要
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我々は, マイクロ波ミリ波無線通信システム用デバイスとして, 均一性再現性に優れたプレーナ構造を有するGaAs HMESFETの高性能化検討を行なっている。本技術では, 斜めSiイオン注入でn+層を形成することで, 対称及び非対称構造デバイスを単一チップ内に同時に作製可能である。今回, 利得及び雑音特性を向上した対称構造HMESFETの開発を行ない, ミリ波帯2段増幅器を試作し, 良好な結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
広田 哲夫
金沢工業大学
-
西村 一巳
NTT LSI研究所
-
山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
-
小野寺 清光
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
小野寺 清光
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
入戸野 巧
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
広田 哲夫
NTTワイヤレスシステム研究所
-
西村 一巳
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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