西村 一巳 | 日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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概要
関連著者
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西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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西村 一巳
NTT LSI研究所
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西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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西村 一巳
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
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西村 一巳
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
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小野寺 清光
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話(株)
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山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
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小野寺 清光
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
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井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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堤 卓也
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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井田 実
日本電信電話
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堤 卓也
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
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井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
入戸野 巧
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
-
堤 卓也
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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山崎 王義
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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西村 一巳
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
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小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社
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深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
山崎 王義
Nttエレクトロニクス
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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武藤 美和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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綱島 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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広田 哲夫
金沢工業大学
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上綱 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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徳光 雅美
Ntt フォトニクス研
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徳光 雅美
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
井田 実
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
神 好人
Ntt 通信エネルギー研
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西村 一巳
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
神 好人
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
村田 浩一
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
山根 康朗
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
佐野 公一
日本電信電話株式会社
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広田 哲夫
NTTワイヤレスシステム研究所
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青山 真二
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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小野寺 清光
NTTフォトニクス研究所
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青山 真二
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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西村 一巳
NTT エレクトロニクス
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西村 一巳
NTTエレクトロニクス
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綱島 聡
NTTフォトニクス研究所
-
小野寺 清光
日本電信電話
-
綱島 聡
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
栗島 賢二
日本電信電話
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佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
-
杉谷 末広
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
-
武藤 美和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
-
小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
著作論文
- C-10-15 BCB多層配線プロセスを用いたマイクロ波線路の特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 超高速ディジタル回路用0.1μm級GaAsMESFET
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- C-10-10 側面コンタクトを用いたスタック型MIMキャパシタの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETを用いたミリ波帯増幅器
- 0.1μm GaAs MESFETのしきい値電圧高均一化
- 自己整合0.1umゲートGaAs-MESFETの閾値変動と寿命
- 自己整合0.1umゲートGaAs-MESFETの閾値変動と寿命
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 0.1μm級ゲートGaAs-MESFETを用いたミリ波帯増幅器
- MMIC用二重LDD型H-MESFET
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 InP-HBT-IC安定化のための基板貫通グランドヴィア形成プロセス(C-10. 電子デバイス,一般セッション)