小林 隆 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
-
小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
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横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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横山 春喜
日本電信電話
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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八木 拓真
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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松崎 秀昭
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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渡邉 則之
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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内田 昌宏
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:nttアドバンステクノロジ株式会社
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小田 康裕
NTTフォトニクス研究所
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佐藤 理夫
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
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内田 昌宏
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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大坂 次郎
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大坂 次郎
名古屋大学工学部
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西村 一巳
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研
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横山 春喜
Nttフォトニクス研
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西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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佐藤 理夫
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
小林 隆
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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和田 一実
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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内田 昌宏
日本電信電話株式会社,NTTフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話
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松崎 秀昭
NTTフォトニクス研
著作論文
- MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
- C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- C-10-3 超高速ディジタル回路用共鳴トンネルダイオード特性
- Photoreflectance法によるInAlAs/InGaAs量子井戸およびHEMT構造の評価
- 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 高V/III比成長によるInP/InAlAsヘテロ界面急峻性の向上 : 気相成長II
- MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- C-10-5 GaN系HEMT用エピでの光照射による電流コラプスの回復と励起波長との関係(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaAsSbのMOCVD成長とCBr_4によるCドーピング(III族窒化物研究の最前線)
- 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaAsSbのMOCVD成長とCBr_4によるCドーピング(III族窒化物研究の最前線)
- GaAsSbのMOCVD成長とCBr_4によるCドーピング(III族窒化物研究の最前線)