八木 拓真 | NTTアドバンステクノロジ株式会社

スポンサーリンク

概要

• 八木 拓真の詳細を見る
• 同名の論文著者
• NTTアドバンステクノロジ株式会社の論文著者

関連著者

• 小林 隆

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所

• 八木 拓真

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 隆

  NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 廣木 正伸

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社

• 横山 春喜

  日本電信電話

• 渡邉 則之

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

もっと見る 閉じる

著作論文

• Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
• Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• C-10-5 GaN系HEMT用エピでの光照射による電流コラプスの回復と励起波長との関係(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
• Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ

スポンサーリンク