横山 春喜 | 日本電信電話

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概要

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関連著者

• 横山 春喜

  日本電信電話

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社

• 村本 好史

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村本 好史

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  Ntt フォトニクス研

• 横山 春喜

  NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  大阪市立大学大学院工学研究科

• 田村 宗久

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 那須 悠介

  日本電信電話(株)フォトニクス研究所

• 倉田 優生

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社

• 倉田 優生

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 小林 隆

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 名田 允洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  Nttフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所

• 廣木 正伸

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 村本 好史

  Ntt フォトニクス研

• 杉山 弘樹

  日本電信電話

• 名田 允洋

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 児玉 聡

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社

• 村本 好文

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小林 隆

  NTTフォトニクス研究所

• 那須 悠介

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 田村 宗久

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 村本 好史

  Nttフォトニクス研究所

• 牧村 隆司

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 児玉 聡

  Ntt フォトニクス研

• 那須 悠介

  NTTフォトニクス研究所

• 塩島 謙次

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 石橋 忠夫

  日本電信電話(株)フォトニクス研究所(現)NTTエレクトロニクス

• 塩島 謙次

  NTTフォトニクス研究所

• 栗島 賢二

  日本電信電話

• 松崎 秀昭

  日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所

• 末光 哲也

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 末光 哲也

  Ntt フォトニクス研

• 星 拓也

  日本電信電話

• 井田 実

  日本電信電話

• 栗島 賢二

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 井田 実

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 松崎 秀昭

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 西村 一巳

  日本電信電話(株)フォトニクス研究所

• 宝川 幸司

  神奈川工科大工学部

• 八木 拓真

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 内田 昌宏

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:nttアドバンステクノロジ株式会社

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 宝川 幸司

  神工大工学部

• 宝川 幸司

  神奈川工科大学工学部

• Hohkawa Kohji

  Department Of Electronic & Electrical Engineering Kanagawa Institute Of Technology

• 西村 一巳

  Nttフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  Nttフォトニクス研究所

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社

• 西村 一巳

  日本電信電話(株) Nttフォトニクス研

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 佐藤 理夫

  日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所

• 渡邉 則之

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 内田 昌宏

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 井田 実

  日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所

• 佐藤 理夫

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 吉松 俊英

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 小杉 敏彦

  日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所

• 吉松 俊英

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 石橋 忠夫

  NTTエレクトロニクス株式会社

• 吉松 俊英

  Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社

• 吉松 俊英

  Nttフォトニクス研究所

• 吉松 俊英

  日本電信電話株式会社nttフォトにクス研究所

• 石橋 忠夫

  Nttエレクトロニクス

• 杉山 引樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 鈴木 左文

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 寺西 豊志

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 深井 佳乃

  NTTフォトニクス研究所

• 高橋 浩

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 深井 佳乃

  日本電信電話(株)

• 牧村 隆司

  NTTエレクトロニクス(株)

• 杉谷 末広

  日本電信電話(株)

• 山根 康朗

  NTTエレクトロニクス(株)

• 内田 昌宏

  日本電信電話株式会社,NTTフォトニクス研究所

• 杉田 憲一

  福井大学工学部

• 村田 浩一

  日本電信電話(株)ntt Lsi研究所

• 伊東 雅之

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 山本 〓勇

  福井大学工学部

• 青笹 真一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 大野 哲一郎

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 杉谷 末広

  Ntt フォトニクス研

• 那須 悠介

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• Asada Masahiro

  The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te

• 青笹 真一

  日本電信電話株式会社nttアクセスサービスシステム研究所

• 井田 実

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研

• 杉田 憲一

  福井大学

• 山本 〓勇

  福井大学

• 静野 薫

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 高橋 浩

  Nttフォトニクス研究所 日本電信電話株式会社

• 石橋 忠夫

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 山根 康朗

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 土居 芳行

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 綱島 聡

  日本電信電話(株) Nttフォトニクス研

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 鈴木 左文

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 星 拓也

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 水野 隆之

  日本電信電話株式会社

• 小熊 学

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 伊東 雅之

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 笠原 亮一

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 田村 宗久

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 吉田 英二

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 水野 隆之

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 小川 育生

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 大野 哲一郎

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 那須 悠介

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 青笹 真一

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

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著作論文

• C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
• C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
• 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
• InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
• Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
• Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
• 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
• 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
• 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• InP/InGaAs新構造 Avalanche photodiode の高増倍率動作
• Si基板上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW構造太陽電池
• グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• C-4-33 メサ型新構造を有する高利得・広帯域InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-33 ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(光送受信モジュール・デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-8 反転型高速アバランシェフォトダイオードの高い増倍感度(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
• MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
• MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
• C-3-9 DP-QPSK信号復調用ヘテロジニアス集積型受光デバイス(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
• C-4-14 高感度APD-ROSAの25-/40-Gbps動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• C-4-24 ダイナミックレンジ拡大に向けた25-Gbit/s級InAIAsアバランシェフォトダイオードの低利得動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-29 DP-QPSK信号受信用ヘテロジニアス集積型PLCの小型高機能化(C-3.光エレクトロニクス)
• C-3-23 APDを用いた小型高感度100GbE用光受信サブアセンブリ(C-3.光エレクトロニクス)
• C-4-14 反転型アバランシェフォトダイオードの高速・高感度化技術(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• 25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))

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