塩島 謙次 | NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
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塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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末光 哲也
Ntt フォトニクス研
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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塩島 謙次
Ntt フォトニクス研究室
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末光 哲也
NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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重川 直輝
Nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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横山 春喜
日本電信電話
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重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
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重川 直輝
NTTフォトニクス研
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杉谷 末広
日本電信電話(株)
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酒井 士郎
徳島大学工学部
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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酒井 士郎
徳島大 工
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酒井 士郎
徳島大学
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小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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牧村 隆司
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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小杉 敏彦
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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杉谷 末広
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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重川 直輝
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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塩島 謙次
NTT LSI研究所
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重川 直輝
NTT先端技術総合研究所
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
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三島 友義
日立電線株式会社
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小椋 充将
京大工学研究科材料工学専攻
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重川 直輝
Ntt
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金田 直樹
日立電線
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三島 友義
日立電線(株)
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金田 直樹
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
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高橋 利文
福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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梶原 隆司
九州大学大学院工学研究院航空宇宙工学部門
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杉谷 末広
NTTフォトニクス研究所
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菅原 智也
徳島大学工学部電気電子工学科
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日向 文明
NTT LSI研究所
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西村 一巳
NTT LSI研究所
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杉谷 末広
NTT LSI研究所
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小野寺 清光
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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菅原 智也
徳島大・工・電気電子
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横山 春喜
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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野本 一貴
法政大学
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日向 文明
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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酒井 士郎
徳島大工
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塩島 謙次
NTTフオトニクス研究所
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重川 直輝
NTTフオトニクス研究所
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小野寺 清光
日本電信電話
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野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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三島 友義
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
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野本 一貴
ノートルダム大学
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梶原 隆司
九州大学大学院工学研究院エネルギー量子工学部門
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
著作論文
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- p形GaNショットキー接触の障壁高さ
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの電子輸送特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの電子輸送特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG 構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果
- p-GaNショットキー接触のICTS評価
- 耐熱ゲートInGaP/GaAs MESFETの製作技術
- C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
- 金属/p-GaN電極界面の電流輸送機構の理解
- Ni/p-GaNショットキー接触のメモリー効果
- SiN膜によるAlGaN/GaNヘテロ構造の表面保護効果 : 熱処理損傷の回復
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 微小ショットキー電極を用いたGaN結晶の評価 : 低キャリアn-GaNの結晶欠陥とI-V特性との相関
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTの作製と評価
- チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
- 微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関
- チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
- 微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関
- CS-9-6 GaN電子デバイスの開発動向、今後の展開、技術課題(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性とHEMT特性との相関(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- AlGaN/GaN 2DEG構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- AlGaN/GaN 2DEG構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- AlGaN/GaN 2DEG 構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの自己発熱評価
- SC-7-12 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
- KOHエッチングしたGaN表面のAFM,及びTEM観察
- KOHエッチングしたGaN表面のAFM,及びTEM観察
- SC-6-1 電子デバイス開発に向けたGaN結晶の評価
- GaN系半導体の結晶評価とデバイス作製技術(第47回物性若手夏の学校(2002年度),講義ノート)
- SC-5-4 GaNショットキー電極の電気的特性、および耐熱性
- p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)