p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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低Mgドープp-GaNショットキー接触を用いて、誘導結合プラズマ(ICP)エッチング損傷を評価した。ICPエッチングは、電流-電圧特性のメモリー効果と順方向電流注入前後の空乏層容量の変化を大幅に低減させた。これらの減少は、アクセプター型の表面欠陥がICPエッチング中に水素原子により不活性化されたまたは、ドナー型欠陥の形成により補償されたことを示唆している。さらに、ICPエッチングにより、障壁高さが2.08eVから2.63eVまで増加することを光応答測定から明らかにした。界面準位の変化により、フェルミ準位の位置はエッチングによってわずかに伝導帯エッジに移動したと考えられる。熱処理により、この影響は部分的に回復し、空乏層容量は増加し、PRスペクトルは拮抗した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-07-19
著者
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
-
野本 一貴
法政大学
-
三島 友義
日立電線株式会社
-
野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
-
金田 直樹
日立電線
-
三島 友義
日立電線(株)
-
三島 友義
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
-
金田 直樹
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
-
高橋 利文
福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
野本 一貴
ノートルダム大学
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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