MP-14 KNN非鉛圧電薄膜の微細加工(ポスターセッション)
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概要
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We conducted inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE) for sodium-potassium niobate (KNN) thin films by Ar/ C_4F_8 mixture gas in order to develop lead-free piezoelectric MEMS devices. We prepared Cr metal masks on KNN thin films deposited on Si substrate. The etching rate of the KNN films was about 63nm/min, which is about third times faster than Ar dry etching. The ferroelectric properties of KNN thin films were not changed by etching process. This result suggests that the lead-free piezoelectric MEMS devices can be fabricated by dry etching of KNN thin films without damage to the KNN films.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2011-09-25
著者
-
小寺 秀俊
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
-
小寺 秀俊
京都大学工学部
-
小寺 秀俊
松下電器中研
-
神野 伊策
京都大学大学院
-
三島 友義
日立電線株式会社
-
三島 友義
日立電線
-
小寺 秀俊
京大 大学院工学研究科
-
柴田 憲治
日立電線
-
柴田 憲治
日立電線(株)
-
小寺 秀俊
京都大学大学院 工学研究科
-
横川 隆司
京都大学大学院
-
小寺 秀俊
京都大学大学院
-
黒川 文弥
京都大学大学院
-
堀切 文正
日立電線
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