低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
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概要
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本研究では低ゲートワーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの作成を行った。アンドープGaN/AlGaN/GaNのソース・ドレイン電極下に選択的に高濃度イオン注入を行いオン抵抗の低減を図った。また同時に、直流特性の評価も行った。注入エネルギー80keV、実効注入量1.0×10^<15>/cm^2のときイオン注入を行っていないものと比べて、オン抵抗は26.2から4.2Ω・mmと減少した。このとき、最大飽和電流、相互コンダクタンスはそれぞれ284から723mA/mm、48から147mS/mmへと増加した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-08
著者
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
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中村 徹
法政大学
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野本 一貴
法政大学
-
野本 一貴
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
田島 卓
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
三島 友義
日立電線株式会社
-
佐藤 政孝
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
中村 徹
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
三島 友義
日立電線
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中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
佐藤 政孝
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
田島 卓
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
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中村 徹
法政大学工学部
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