中村 徹 | 法政大学
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
中村 徹
法政大学
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
-
中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
中村 徹
法政大学工学部
-
野本 一貴
法政大学
-
野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
-
佐藤 政孝
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
三島 友義
日立電線株式会社
-
三島 友義
日立電線
-
佐藤 政孝
法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所
-
土屋 忠厳
日立電線
-
野本 一貴
法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所
-
田島 卓
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
金田 直樹
日立電線
-
畠山 義智
法政大学
-
松島 孝典
法政大学工学部
-
佐藤 政孝
法政大学
-
中嶋 正裕
法政大学工学部
-
土屋 龍太
日立製作所
-
片寄 秀雄
法政大学
-
寺野 昭久
日立製作所
-
石垣 隆士
日立製作所
-
土屋 朋信
日立製作所
-
望月 和浩
日立製作所
-
望月 和浩
(株)日立製作所 中央研究所
-
望月 和浩
日立製作所中央研究所
-
田島 卓
法政大学
-
寺野 昭久
株式会社 日立製作所
-
金田 直樹
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
-
土屋 朋信
日立製作所中央研究所
-
石垣 隆士
日立製作所中央研究所
-
石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
-
野本 一貴
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
寺野 昭久
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
葛西 武
ケミトロニクス
-
太田 理奈雄
法政大学
-
川田 昌和
法政大学
-
宮川 晋悟
法政大学
-
工藤 尚宏
法政大学
-
永田 翔平
法政大学
-
田島 卓
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
佐藤 政孝
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
中村 徹
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
河村 光則
法政大学
-
伊藤 伸之
法政大学
-
中村 善
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
田口 真也
法政大学
-
長谷川 一也
法政大学
-
望月 和浩
株式会社 日立製作所
-
河野 敏弘
日立電線
著作論文
- 微細化T型ゲートイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMT
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化
- 半導体製造装置の省エネルギー対策に関する実験研究
- Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性
- イオン注入法によるGaN FETの特性改善効果
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化
- イオン注入GaN系電界効果トランジスタの高性能化
- 自己整合型ノーマリーオフGaN MISFET
- イオン注入4H-SiCバイポーラトランジスタの高電流利得化
- GaN基板上高耐圧GaN pn接合ダイオード
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 小型GaN p^+nダイオードのオン抵抗低減機構に関する考察
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード
- 超高速デバイスおよびミリ波デバイスとその回路技術 : 特集号によせて