イオン注入4H-SiCバイポーラトランジスタの高電流利得化
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概要
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We demonstrate triple ion implanted 4H-SiC bipolar junction transistor (BJT). By etching the extrinsic base regions using inductively coupled plasma dry etching, the characteristics of triple ion implanted 4H-SiC BJT were significantly improved. Maximum common emitter current gain was improved from 1.7 to 7.5.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2010-12-01
著者
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中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
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中村 徹
法政大学
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中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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佐藤 政孝
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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田島 卓
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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中村 善
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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中村 徹
法政大学工学部
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