絶縁膜埋め込み型AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ
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概要
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III-V族化合物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)におけるベース・コレクタ容量C_BC>の低減に対し、比誘電率の小さなSiO_2を寄生コレクタ領域に用いて多結晶GaAsで埋め込む構造を提案し、分子線エピタキシー法を用いてAlGaAs, GaAs HBTの試作を行った。電流-電圧特性は従来構造と同等で、最大電流増幅率は80以上であった。C_BD>は本構造により大きく低減し、エミッタ面積4×4μm^2の場合に従来比35%となった。また、C_BC>低減効果が最大となる完全一次元型HBT構造の実現に不可欠な、p型多結晶GaAsの低抵抗化に関しても検討を行い、Beの高濃度ドーピングにより達成できる見通しを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-20
著者
-
増田 宏
(株) 日立製作所中央研究所
-
中村 徹
日立製作所 中央研究所
-
望月 和浩
(株)日立製作所 中央研究所
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
-
望月 和浩
日立製作所中央研究所
-
田上 知紀
日立製作所中央研究所
-
増田 宏
日立製作所中央研究所
-
堀内 勝忠
日立製作所中央研究所
-
田上 知紀
(株)ルネサステクノロジ
-
堀内 勝忠
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
望月 和浩
株式会社 日立製作所
-
望月 和浩
日立製作所
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