InGaP/GaAsコレクタトップHBTへの裏面放熱エミッタ電極形成技術(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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次世代小型携帯端末用高出力増幅器向けに、InGaP/GaAsコレクタトップHBTトランジスタ直下に放熱孔を形成し、裏面エミッタ電極とするプロセス技術を新たに開発した。本HBTは放熱効率が高く、フィンガー間の熱干渉が低減できる結果、小型化に優位と期待される。試作した4フィンガーHBTは、フィンガーピッチを15μmと狭めても、外部バラスト抵抗なしで熱的に安定な特性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-07
著者
-
田中 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
望月 和浩
(株)日立製作所 中央研究所
-
内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
-
塩田 貴支
(株)日立製作所 中央研究所
-
谷口 隆文
(株)日立製作所中央研究所
-
田窪 千咲紀
株式会社日立製作所中央研究所
-
望月 和浩
株式会社日立製作所中央研究所
-
田中 健一
株式会社日立製作所中央研究所
-
内山 博幸
株式会社日立製作所中央研究所
-
谷口 隆文
株式会社日立製作所中央研究所
-
塩田 貴支
株式会社日立製作所中央研究所
-
田窪 千咲紀
(株)日立製作所 中央研究所
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