InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型光スイッチのハイブリッド導波路構造による偏光無依存・低クロストーク動作の実現(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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我々は多モード干渉(MMI)導波路を用いたマッハツェンダー干渉計型の光スイッチをInAlGaAs/InAlAsにより作製してその特性評価を行った。偏光無依存動作を意図して、MMI導波路とその他の箇所に対して異なるエッチング深さを採用したハイブリッド構造を採用した。TEモード及びTMモードの入力光に対していずれも-20dB以下の低クロストークスイッチング動作が5.25mA、4.75mAと低偏光依存かつ低消費電力で実現された。更におよそ3ナノ秒の高速スイッチング特性についても確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-06-12
著者
-
宇高 勝之
早稲田大学理工学部
-
塩田 貴支
(株)日立製作所 中央研究所
-
北谷 健
(株)日立製作所中央研究所
-
宇高 勝之
早稲田大学理工学術院
-
上田 悠太
早稲田大学理工学術院
-
藤本 信二
早稲田大学理工学術院
-
山田 拓人
早稲田大学理工学術院
-
中村 真也
早稲田大学理工学術院
-
宇高 勝之
早稲田大学大学院理工学研究科
-
北谷 健
(株)日立製作所 中央研究所
-
中村 真也
早稲田大学大学院理工学研究科
-
上田 悠太
早稲田大 理工学術院
-
宇高 勝之
早稲田大学
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