シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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概要
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WDMによる通信容量の増大に伴い,SOI基板を用いた低コストかつ高機能なフィルタ素子が注目されている.Deep-RIEによって作製した高結合係数Siグレーティングにより,WDMインターリーバとして機能するマイケルソン干渉計型フィルタを作製し評価した.その結果,FSR約0.8nm,消光比約18dBのインターリーバとしての特性,またグレーティング特性において約20dBの透過コントラストが得られた.また,グレーティング,導波路にそれぞれ電極を装荷し,熱光学効果によるチューニング動作を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-22
著者
-
和田 恭雄
東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
-
筒井 謙
東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
-
宇高 勝之
早稲田大学理工学部
-
筒井 謙
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
江面 知彦
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
徳田 正秀
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
和田 恭雄
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
宇高 勝之
早稲田大学理工学術院
-
松井 純哉
早稲田大学理工学術院
-
本田 惣一朗
早稲田大学理工学部
-
武 志剛
早稲田大学理工学部
-
和田 恭雄
早稲田大学 ナノテクノロジー研究所
-
宇高 勝之
早稲田大学大学院理工学研究科
-
宇高 勝之
早稲田大学
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