[招待講演]分子ナノエレクトロニクスの展望
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
単一分子エレクトロニクスデバイスは、情報処理、情報伝達、情報蓄積と言う情報技術の三要素を現在支えている固体エレクトロニクスに基づいたデバイスの限界性能を数桁超える性能を待つことが期待されている。さらに、ノイマン型のみでなく、脳情報処理、量子情報処理等の新しい情報処理アーキテクチャに対応できるフレキシブルなデバイスとして、次世代情報技術のパラダイムを築く大きなポテンシャルを待つ。本稿ではその実現のために、(1)単一分子の二端子計測、(2)二端子分子の機能実証、(3)三端子分子特性計測、(4)集積化技術の開発という4つのマイルストーンをクリアする必要があることを指摘し、これに向けた我々の研究状況を報告する。この他にも単一分子デバイスは、発光、情報記録、センサーなど、分子の持つ構造と電子状態の一義性、極微小寸法制御性等の特長を生かしたシステムの構築を可能にすることが期待できるため、そのポテンシャルは測り知れない。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-16
著者
関連論文
- 分子エレクトロニクス用マイクロギャップ平坦電極の作製
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中モードサイズを有する実用的SOIリブ導波路の設計, 作製と評価
- 中モードサイズを有する実用的SOIリブ導波路の設計, 作製と評価(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価
- 磁気力顕微鏡を利用した電流誘起磁場測定における電流定量評価の可能性(計測・高周波デバイス)
- 中モードサイズを有する実用的SOIリブ導波路の設計, 作製と評価(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- 中モードサイズを有する実用的SOIリブ導波路の設計, 作製と評価(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- 中モードサイズを有する実用的SOIリブ導波路の設計, 作製と評価(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- 磁気力顕微鏡を利用した電流誘起磁場測定系の空間分解能の評価(計測・高周波デバイス)
- 分子デバイスの現状と展望
- ナノテクノロジーと科学技術のフロンティア
- [招待講演]分子ナノエレクトロニクスの展望
- 単一分子デバイス研究 その最前線と課題--15年後のコンピュータ実現に向けて