中モードサイズを有する実用的SOIリブ導波路の設計, 作製と評価(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
SOI(silicon-on-insulator)基板上リブ導波路は、光集積回路において有用な材料であり、低損失、低偏光依存性、そして作製の容易さなどの利点によりさらに注目を集めている。しかしながら、従来の大モッドサイズのSOIリブ導波路は曲げ損失が大きいという欠点がある。一方、微小なシリコン細線導波路は伝搬損失がまだ大きいという欠点がある。そこで我々は、中モッドサイズのSOIリブ導波路を提案する。解析の結果単一モード条件の下で曲げ半径は従来の大モッドサイズのSOIリブ導波路の10分の1であること。表面ラフネスが同程度の場合、シリコン細線導波路に比べて伝搬損失は少ないことを明らかにした。実際にSOIリブ導波路を作製し、評価を行い, 曲げ半径1mmの単一モード導波路における損失として2dB/cmを得た。これら結果より、中モッドサイズSOIリブ導波路が光集積回路に最も適した構造であると言える。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-25
著者
-
和田 恭雄
東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
-
筒井 謙
東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
-
宇高 勝之
早稲田大学理工学部
-
筒井 謙
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
江面 知彦
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
徳田 正秀
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
和田 恭雄
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
宇高 勝之
早稲田大学理工学術院
-
本田 惣一朗
早稲田大学理工学部
-
武 志剛
早稲田大学理工学部
-
中村 一彦
早稲田大学 理工学部
-
和田 恭雄
早稲田大学 ナノテクノロジー研究所
-
宇高 勝之
早稲田大学大学院理工学研究科
-
中村 一彦
早稲田大学理工学部
-
宇高 勝之
早稲田大学
関連論文
- 有機半導体分子のグラフォエピタキシー
- 高性能有機薄膜トランジスタ（OTFT）構造の提案
- 22pGS-15 電極エッジに起因する有機半導体薄膜の面内配向成長とFETへの応用(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 2光束干渉露光法による大面積二次元周期構造を用いた多次元フォトニック結晶構造装荷InAlGaAs多重量子井戸構造の光励起発光特性(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- 高性能有機薄膜トランジスタ (OTFT) 構造の提案
- 有機薄膜トランジスタ高性能化への提案
- G132 表面微細構造による熱ふく射波長制御(一般セッション 物性)
- 3P325 温感性ハイドロゲルを用いた多分岐マイクロソーターの開発(バイオエンジニアリング))
- 3P318 生体物質のマイクロチップ内二次元ハンドリングシステムの開発(その他)
- 2P298 温感性ハイドロゲルを用いた生体分子ソーターの開発(バイオエンジニアリング)
- 分子エレクトロニクス用マイクロギャップ平坦電極の作製
- InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型光スイッチのハイブリッド導波路構造による偏光無依存・低クロストーク動作の実現(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 単一波長半導体レーザから光スイッチ、そして… : 異分野交流の勧め(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- 深堀エッチングによるシリコン導波路上ブラッググレーティングのフィルタ特性改善(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- InAlGaAs/InAlAs/InPマッハツェンダー型多モード干渉光スイッチ(MIPS-MZ)の低電流動作(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 次世代ナノテクノロジー論文特集の発行にあたって
- C-3-14 InAlGaAs/InAlAsを用いた部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)による高速光スイッチング(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 中モードサイズを有する実用的SOIリブ導波路の設計, 作製と評価
- InAlGaAs/InAlAsを用いた部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)による高速光スイッチング
- 中モードサイズを有する実用的SOIリブ導波路の設計, 作製と評価(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- ナノインプリントを用いたポリマー導波路型波長フィルターの作製と評価(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- ナノインプリントを用いたポリマー導波路型波長フィルターの作製と評価(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-3-79 極低消費電力ポリマー熱光学スイッチの現状と将来(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- InAlGaAs/InAlAsを用いた部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)による高速光スイッチング(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- InAlGaAs/InAlAsを用いた部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)による高速光スイッチング(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- InAlGaAs/InAlAsを用いた部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)による高速光スイッチング(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- InAlGaAs/InAlAsを用いた部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)による高速光スイッチング(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- InAlGaAs/InAlAsによる部分屈折率変調多モード干渉型スイッチ(MIPS-P)の特性改善(フォトニックネットワーク制御・設計,一般)
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価
- 25aYC-11 有機グラフォエピタキシーの基板依存性から見たその成長機構(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXJ-9 人工周期構造を持つ熱酸化シリコン基板上におけるsexithiopheneの面内選択配向成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 磁気力顕微鏡を利用した電流誘起磁場測定における電流定量評価の可能性(計測・高周波デバイス)
- 中モードサイズを有する実用的SOIリブ導波路の設計, 作製と評価(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- 中モードサイズを有する実用的SOIリブ導波路の設計, 作製と評価(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- 中モードサイズを有する実用的SOIリブ導波路の設計, 作製と評価(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- 磁気力顕微鏡を利用した電流誘起磁場測定系の空間分解能の評価(計測・高周波デバイス)
- 2P297 温感性ハイドロゲルを用いたマイクロソーターの改良(バイオエンジニアリング)
- InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型光スイッチのハイブリッド導波路構造による偏光無依存・低クロストーク動作の実現(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- コヒーレント光受信器のためのテーパー状多モード干渉型集積光結合器(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- コヒーレント光受信器のためのテーパー状多モード干渉型集積光結合器(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- コヒーレント光受信器のためのテーパー状多モード干渉型集積光結合器(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- コヒーレント光受信器のためのテーパー状多モード干渉型集積光結合器(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- C-3-53 偏光無依存InPマッハツェンダー干渉形型光スイッチ技術(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 有機半導体のグラフォエピタキシー(応用を視野においた有機半導体の結晶成長)
- アモルファス基板上における有機薄膜の面内配向制御 : 電界効果トランジスタへの応用に向けて
- 21aRB-7 グラフォエピタキシーによって面内配向制御した有機FETの特性評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-12 グラフォエピタキシーによる有機半導体薄膜の配向制御とFETへの応用(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aXA-10 有機薄膜トランジスタの膜厚依存性と電界効果電荷注入(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 部分屈折率変調多モード干渉型光スイツチ(MIPS-P)の基本特性
- 多モード干渉型半導体光スイッチ
- C-3-165 広角FD-BPMによる多モード干渉型光スイッチの特性解析
- 深堀エッチングによるシリコン導波路上ブラッググレーティングのフィルタ特性改善
- 深堀エッチングによるシリコン導波路上ブラッググレーティングのフィルタ特性改善(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 深堀エッチングによるシリコン導波路上ブラッググレーティングのフィルタ特性改善(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 銀デンドライトにおける表面増強ラマン散乱 (第24回表面科学講演大会論文特集(3))
- 逆方向結合器フィルタ型アッド・ドロップ波長多重用素子
- 半導体光増幅器の高速非線形応答への動作条件の総合的検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 半導体光増幅器の高速非線形応答への動作条件の総合的検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- SOA及び長周期グレーティングを装荷した方向性結合器による光信号再生機能の解析
- SOA及び長周期グレーティングを装荷した方向性結合器による光信号再生機能の解析(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- SOA及び長周期グレーティングを装荷した方向性結合器による光信号再生機能の解析(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- SOA及び長周期グレーティングを装荷した方向性結合器による光信号再生機能の解析(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- SOA及び長周期グレーティングを装荷した方向性結合器による光信号再生機能の解析
- SOA及び長周期グレーティングを装荷した方向性結合器による光信号再生機能の解析
- 共鳴トンネル三角バリア光スイッチ(R-TOPS)によるS字及びN字型負性抵抗の光制御
- 共鳴トンネル3角バリア光スイッチ(R-TOPS)--光信号処理用の新機能光スイッチング素子
- 高感度高利得光機能素子 : 三角バリア光スイッチ(TOPS)
- 分子デバイスの現状と展望
- ナノテクノロジーと科学技術のフロンティア
- [招待講演]分子ナノエレクトロニクスの展望
- 単一分子デバイス研究 その最前線と課題--15年後のコンピュータ実現に向けて
- InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4x4光スイッチの低消費電力・低偏光依存動作の実現(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- 分子エレクトロニクスの基盤技術(1)ナノ電極技術
- 波長可変多電極半導体レ-ザ
- C-4-51 半導体光増幅器における相互変調高速回復に対するアシスト光入射方向の影響
- 2x2部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)の7段構成による4x4ノンブロッキング光スイッチの動作解析
- 2x2部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)の7段構成による4x4ノンブロッキング光スイッチの動作解析
- ファブリ・ペローエタロン共振器構造を用いた半導体導波路インライン型波長選択フィルタの基礎検討
- ファブリ・ペローエタロン共振器構造を用いた半導体導波路インライン型波長選択フィイルタの基礎検討
- InAs QD-SOAとリング共振器を集積した光論理ゲート素子の超高速(160Gb/s)論理動作の数値解析による検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- InAs QD-SOAとリング共振器を集積した光論理ゲート素子の超高速(160Gb/s)論理動作の数値解析による検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 半導体光増幅器のアシスト光による高速化と干渉計型波長変換素子の動作特性の解析(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 半導体光増幅器のアシスト光による高速化と干渉計型波長変換素子の動作特性の解析(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 半導体光増幅器のアシスト光による高速化と干渉計型波長変換素子の動作特性の解析(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 半導体光増幅器のアシスト光による高速化と干渉計型波長変換素子の動作特性の解析(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4×4光スイッチの低消費電力・低偏光依存動作の実現(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- ポリマー3次元光回路の基本透過特性(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- ポリマー導波路型Kretschmann構造による小型・高感度・1500nm帯動作SPRセンサの提案と基本特性(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- ポリマー導波路型Kretschmann構造による小型・高感度・1500nm帯動作SPRセンサの提案と基本特性(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- シリコン細線導波路方向性結合器を用いた偏光無依存・低消費電力2×2光スイッチの検討(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般)
- C-3-57 ポリマー3次元光インターコネクションスイッチング回路の検討(C-3.光エレクトロニクス)
- InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4x4光スイッチの低消費電力・低偏光依存動作の実現