InAs QD-SOAとリング共振器を集積した光論理ゲート素子の超高速(160Gb/s)論理動作の数値解析による検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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概要
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我々は、全光ネットワークにおけるキーデバイスである半導体光増幅器(SOA)とリング共振器をInP基板上に集積し、SOAの相互利得変調と四光波混合、リング共振器のフィルタ機能を用いた光論理ゲート(XNOR、AND)素子を提案し、検討してきた。レート方程式を用いた伝達行列法による数値解析により、超高速動作が期待される歪補償技術を用いた多重積層InAs量子ドット構造のSOAと、高分子材料を用いたリング共振器による光論理ゲート素子が160GblsのRZ入力信号に対してXNOR論理ゲート動作をすることを示した。この時のアイパターン波形はアイ開口率90.3%という値であり、バルク型SOAと比較して非常に良好な波形が得られている。
- 2011-06-23
著者
-
赤羽 浩一
情報通信研究機構
-
赤羽 浩一
独立行政法人 情報通信研究機構
-
松本 敦
早稲田大学理工学部
-
宇高 勝之
早稲田大学理工学術院
-
宇高 勝之
早稲田大学大学院理工学研究科
-
赤羽 浩一
(独)情報通信研究機構
-
桑田 圭一郎
早稲田大学理工学術院
-
松下 明日香
早稲田大学理工学術院
-
松本 敦
早稲田大学理工学術院
-
宇高 勝之
早稲田大学
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