19pPSB-19 半導体微小共振器の励起子ポラリトンのポンプ&プロープ分光II(ポスターセッション,領域5,光物性)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-02-28

著者

• 赤羽 浩一

  情報通信研究機構

• 小坂 英男

  東北大通研

• 三森 康義

  東北大通研

• 枝松 圭一

  東北大通研

• 加藤 範泰

  東北大通研

• 山本 直克

  NICT

• 赤羽 浩一

  NICT

関連論文

• 22pPSB-28 III-V族半導体量子ドットにおける励起子ラビ振動のパルス幅依存性(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• ドープガラスによるマイクロ原子タグの作製と評価(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
• ドープガラスによるマイクロ原子タグの作製と評価(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
• 光通信用アンチモン系量子ドット面発光レーザ(QD-VCSEL)の開発(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 波長1ミクロン帯光情報通信のための半導体量子ドット光デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 27aPS-35 III-V族半導体量子ドットの励起子フォトンエコーII(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 27aPS-18 III-V族半導体キャビティポラリトンのポンププローブ分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 28pVA-11 III-V族半導体キャビティポラリトンにおける光誘起力-効果II(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 1-μm 帯波長可変量子ドットレーザを用いた 2.5-Gb/s、1-km ホールアシストファイバ伝送
• 25aXB-5 歪補償量子ドットにおける多光波混合(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
• 25aXB-4 集団量子ドットにおける励起子ラビ振動の制御(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
• 22aPS-62 量子ドットにおけるパルス面積の精密評価(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 21aYH-5 量子ドットにおける励起子ラビ振動の減衰メカニズム(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 23pPSA-98 低歪積層量子ドットにおける励起子ラビ振動(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSA-45 低歪積層InAs量子ドットにおける励起子緩和過程(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25aPS-66 低歪積層InAs量子ドットにおける位相緩和 : 励起子間相互作用の影響(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• B-13-24 波長帯多重3×10Gbps光信号のホーリーファイバ伝送(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
• 13pPSA-39 ダブルパルス励起による GaAs/AlAs 多重量子井戸におけるコヒーレント LO フォノンと励起子量子ビートの結合モード(領域 5)
• 19pPSB-26 室温におけるGaAs/AlAs多重量子井戸中のコヒーレントLOフォノンからのTHz電磁波発生(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 超広帯域光伝送システムによる新光周波数帯TバンドとC、Lバンドの同時伝送(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,非線形・偏波問題,分散補償デバイス,光信号処理,光測定器,光通信用ディジタル信号処理,光通信計測,光通信用LSI,誤り訂正,一般)
• 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発
• 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化
• 波長1ミクロン帯光情報通信のための半導体量子ドット光デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1ミクロン帯光情報通信のための半導体量子ドット光デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1ミクロン帯光情報通信のための半導体量子ドット光デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 超高密度半導体量子ドット形成技術 (光・量子通信特集) -- (超高密度光波通信)
• アンチモン系ナノ材料を用いた波長1.3ミクロン帯導波路型・面型量子ドットレーザの開発
• 26aWB-6 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波の電場依存性(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
• 30aRF-9 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンから放射されたテラヘルツ電磁波の特性(II)(領域5,領域1合同招待講演,30aRF 超高速現象・非線形光学,領域5(光物性))
• 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低闘値化(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 超広帯域ホーリーファイバ光伝送システムによる新光周波数帯域T-バンド開拓とその伝送品質評価
• 23pRE-8 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果(23pRE 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 22aPS-58 III-V族半導体量子ドットの励起子フォトンエコー(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 23pPSB-25 InAs系自己形成量子ドットの励起子四光波混合のドット密度依存性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSA-44 InAs系自己形成量子ドット中の励起子四光波混合IV(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25aPS-35 InAs系自己形成量子ドット中の励起子四光波混合III(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 27aWA-8 InAs系自己形成量子ドット中の励起子四光波混合II(27aWA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 1-μm帯波長可変量子ドットレーザを用いた2.5-Gb/s、1-kmホールアシストファイバ伝送(アクセスシステムおよびアクセス用光部品,光無線システム(ROF,FWA等),光映像伝送(CATV含む),オペレーション/保守監視,光計測,光ファイバ,光ファイバケーブル,一般)
• 1-μm帯波長可変量子ドットレーザを用いた2.5-Gb/s、1-kmホールアシストファイバ伝送(アクセスシステム及びアクセス用光部品,光無線システム(ROF,FWA等)光映像伝送(CATV含む),オペレーション/保守監視,光計測,光ファイバ,光ファイバケーブル,一般)
• アンチモン添加半導体量子ドットの作製とその光通信波長半導体レーザ応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• アンチモン添加半導体量子ドットの作製とその光通信波長半導体レーザ応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• アンチモン添加半導体量子ドットの作製とその光通信波長半導体レーザ応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• アンチモン添加半導体量子ドットの作製とその光通信波長半導体レーザ応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 23aYH-7 III-V族半導体キャビティポラリトンにおける光誘起カー効果(23aYH 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 26aPS-11 半導体微小共振器における光誘起カー効果(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 23pPSA-73 半導体微小共振器の励起子ポラリトンのポンプ&プローブ分光III(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSB-19 半導体微小共振器の励起子ポラリトンのポンプ&プロープ分光II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25aPS-20 半導体微小共振器の励起子ポラリトンのポンプ&プロープ分光(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• B-13-46 光伝送システムにおける波長1μm帯光周波数資源の評価(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
• 23aRE-1 散乱型ANSOM法によるInAs量子ドットからの誘電率分布の観測(23aRE 顕微・近接場分光/新光源・新分光法,領域5(光物性))
• 28aPS-61 ポンププローブ分光による低歪積層InAs量子ドットの緩和過程の研究(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• InAs多重積層量子ドットによる1.55μm帯レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 28aPS-63 低歪積層InAs量子ドットにおける非指数関数的位相緩和(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 28aPS-62 低歪積層InAs量子ドットにおける四光波混合 : 偏光選択則と光学異方性(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 1.5μm高密度InAs量子ドットを利用する面型可飽和吸収体の検討(光機能有機材料・デバイス, 非線形現象, 一般)
• 1.5μm高密度InAs量子ドットを利用する面型可飽和吸収体の検討(光機能有機材料・デバイス, 非線形現象, 一般)
• C-4-34 高密度InAs量子ドットを用いる面型モードロッカの検討(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(光増幅・注入同期), エレクトロニクス1)
• 21aXF-5 低歪積層InAs量子ドットにおける四光波混合(表面・微粒子・ナノ結晶・低次元,領域5(光物性))
• シリコン光導波路における超高速光デバイス
• Si細線導波路を用いた超高速光スイッチとSi基板上への化合物半導体発光材料形成
• CS-3-6 シリコン細線導波路を利用した全光高速変調とシリコン・化合物半導体融合デバイス(CS-3.シリコン・フォトニクス技術の最新動向,シンポジウム)
• 21aYD-2 InAs系自己形成量子ドット中の励起子四光波混合(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
• B-10-60 波長1μm帯における偏波多重2×10Gbps光伝送(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
• 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発
• 広帯域量子ドット光ゲインによるT-,O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発 (マイクロ波・ミリ波フォトニクス)
• 広帯域量子ドット光ゲインによるT-,O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発 (エレクトロニクスシミュレーション)
• 広帯域量子ドット光ゲインによるT-,O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発 (光エレクトロニクス)
• 広帯域量子ドット光ゲインによるT-,O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発 (マイクロ波)
• 歪補償法による多重積層量子ドットレーザの発振波長制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 光周波数資源拡大を目指した量子ドット光ゲインICTデバイスの開発(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• 25pPSA-54 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果II(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 25pHB-10 III-V族自己形成型半導体量子ドットにおけるスペクトル分解フォトンエコー(25pHB 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発
• InAs QD-SOAとリング共振器を集積した光論理ゲート素子の超高速(160Gb/s)論理動作の数値解析による検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• InAs QD-SOAとリング共振器を集積した光論理ゲート素子の超高速(160Gb/s)論理動作の数値解析による検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 21pPSB-28 InAlGaAs/AlGaAs量子ドットにおける顕微分光(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 21pRB-12 III-V族自己形成型半導体量子ドットにおけるスペクトル分解フォートンエコーII(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
• 21pRB-11 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果III(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
• アンチモン系量子ドットレーザ (特集 材料からのブレークスルー)
• 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 新光周波数帯域T-バンドにおける偏波多重2×10-Gbps光信号のホーリーファイバ伝送(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,非線形・偏波問題,分散補償デバイス,光信号処理,光測定器,光通信用ディジタル信号処理,光通信計測,光通信用LSI,誤り訂正,一般)
• 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (信頼性)
• InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (光エレクトロニクス)
• InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (電子部品・材料)
• InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (機構デバイス)
• ナノテクを応用したガリウム砒素基板モノリシック光通信用面発光レーザの開発
• 量子ドット集合体のコヒーレンスの基礎と応用

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク