21pRB-12 III-V族自己形成型半導体量子ドットにおけるスペクトル分解フォートンエコーII(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-08-24
著者
-
山本 直克
情報通信研究機構
-
赤羽 浩一
情報通信研究機構
-
小坂 英男
東北大通研
-
朝倉 健太
東北大通研
-
三森 康義
東北大通研
-
枝松 圭一
東北大通研
-
赤羽 浩一
情報通信機構
-
山本 直克
情報通信機構
-
佐々木 雅英
情報通信機構
-
大谷 直毅
同志社大
-
赤羽 浩一
独立行政法人 情報通信研究機構
-
枝松 圭一
東北大学通研
-
枝松 圭一
東北大工
-
枝松 圭一
東北大・工
-
佐々木 雅英
(独)情報通信研究機構
-
佐々木 雅英
情通機構
-
赤羽 浩一
(独)情報通信研究機構
-
小坂 英男
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
-
三森 康義
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
-
三森 康義
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
-
佐々木 雅英
通信総合研究所基礎先端部門量子情報技術グループ
-
渡邊 俊太
東北大通研
関連論文
- 22pPSB-28 III-V族半導体量子ドットにおける励起子ラビ振動のパルス幅依存性(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- ドープガラスによるマイクロ原子タグの作製と評価(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- ドープガラスによるマイクロ原子タグの作製と評価(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- シリコン系発光材料の開発 : 真空蒸着法によるEr添加Si酸化膜の形成
- 光通信用アンチモン系量子ドット面発光レーザ(QD-VCSEL)の開発(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 波長1ミクロン帯光情報通信のための半導体量子ドット光デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 27aPS-35 III-V族半導体量子ドットの励起子フォトンエコーII(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- OFC/NFOEC2007報告 : アクティブモジュール/デバイス関連(光アクセスに向けた光ファイバ,光デバイス・モジュール,(OFC報告),一般)
- 25aXB-5 歪補償量子ドットにおける多光波混合(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 22aPS-62 量子ドットにおけるパルス面積の精密評価(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21aYH-5 量子ドットにおける励起子ラビ振動の減衰メカニズム(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 23pPSA-98 低歪積層量子ドットにおける励起子ラビ振動(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSA-45 低歪積層InAs量子ドットにおける励起子緩和過程(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25aPS-66 低歪積層InAs量子ドットにおける位相緩和 : 励起子間相互作用の影響(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- B-13-24 波長帯多重3×10Gbps光信号のホーリーファイバ伝送(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- 13pPSA-39 ダブルパルス励起による GaAs/AlAs 多重量子井戸におけるコヒーレント LO フォノンと励起子量子ビートの結合モード(領域 5)
- 19pPSB-26 室温におけるGaAs/AlAs多重量子井戸中のコヒーレントLOフォノンからのTHz電磁波発生(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 超広帯域光伝送システムによる新光周波数帯TバンドとC、Lバンドの同時伝送(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,非線形・偏波問題,分散補償デバイス,光信号処理,光測定器,光通信用ディジタル信号処理,光通信計測,光通信用LSI,誤り訂正,一般)
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発
- C-10-5 二元同時蒸着法によるβ-FeSi_2薄膜の作成(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化
- 波長1ミクロン帯光情報通信のための半導体量子ドット光デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1ミクロン帯光情報通信のための半導体量子ドット光デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1ミクロン帯光情報通信のための半導体量子ドット光デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- アンチモン系ナノ材料を用いた波長1.3ミクロン帯導波路型・面型量子ドットレーザの開発
- 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低闘値化(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 超広帯域ホーリーファイバ光伝送システムによる新光周波数帯域T-バンド開拓とその伝送品質評価
- 23pRE-8 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果(23pRE 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- B-13-46 光伝送システムにおける波長1μm帯光周波数資源の評価(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- 23aRE-1 散乱型ANSOM法によるInAs量子ドットからの誘電率分布の観測(23aRE 顕微・近接場分光/新光源・新分光法,領域5(光物性))
- 28aPS-63 低歪積層InAs量子ドットにおける非指数関数的位相緩和(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aPS-62 低歪積層InAs量子ドットにおける四光波混合 : 偏光選択則と光学異方性(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 1.5μm高密度InAs量子ドットを利用する面型可飽和吸収体の検討(光機能有機材料・デバイス, 非線形現象, 一般)
- 1.5μm高密度InAs量子ドットを利用する面型可飽和吸収体の検討(光機能有機材料・デバイス, 非線形現象, 一般)
- C-4-34 高密度InAs量子ドットを用いる面型モードロッカの検討(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(光増幅・注入同期), エレクトロニクス1)
- 26aPS-23 GaAs多重量子井戸におけるHH-LH量子ビートの時間分解測定とコヒーレント制御(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21aXF-5 低歪積層InAs量子ドットにおける四光波混合(表面・微粒子・ナノ結晶・低次元,領域5(光物性))
- シリコン光導波路における超高速光デバイス
- 21pTQ-8 GaAs多重量子井戸におけるHH-LH量子ピートのコヒーレント制御(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
- 19pPSB-28 GaAs多重量子井戸における位相緩和のコヒーレント制御2(ポスターセッション,領域5,光物性)
- B-10-60 波長1μm帯における偏波多重2×10Gbps光伝送(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-,O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発 (マイクロ波・ミリ波フォトニクス)
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-,O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発 (エレクトロニクスシミュレーション)
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-,O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発 (光エレクトロニクス)
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-,O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発 (マイクロ波)
- 新光周波数帯域T-バンドにおける偏波多重2×10-Gbps光信号のホーリーファイバ伝送 (光通信システム)
- マッハツェンダ型光コム発生器を用いたTバンドピコ秒パルス生成 (マイクロ波・ミリ波フォトニクス)
- マッハツェンダ型光コム発生器を用いたTバンドピコ秒パルス生成 (エレクトロニクスシミュレーション)
- マッハツェンダ型光コム発生器を用いたTバンドピコ秒パルス生成 (光エレクトロニクス)
- マッハツェンダ型光コム発生器を用いたTバンドピコ秒パルス生成 (マイクロ波)
- 歪補償法による多重積層量子ドットレーザの発振波長制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 光周波数資源拡大を目指した量子ドット光ゲインICTデバイスの開発(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- 25pPSA-54 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果II(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25pHB-10 III-V族自己形成型半導体量子ドットにおけるスペクトル分解フォトンエコー(25pHB 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- マッハツェンダ型光コム発生器を用いたTバンドピコ秒パルス生成
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発
- C-3-2 光変調器を用いた1μm帯ピコ秒パルス生成(光信号処理,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 21pPSB-28 InAlGaAs/AlGaAs量子ドットにおける顕微分光(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pRB-12 III-V族自己形成型半導体量子ドットにおけるスペクトル分解フォートンエコーII(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 21pRB-11 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果III(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マッハツェンダ型光コム発生器を用いたTバンドピコ秒パルス生成(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マッハツェンダ型光コム発生器を用いたTバンドピコ秒パルス生成(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マッハツェンダ型光コム発生器を用いたTバンドピコ秒パルス生成(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- マッハツェンダ型光コム発生器を用いたTバンドピコ秒パルス生成(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 新光周波数帯域T-バンドにおける偏波多重2×10-Gbps光信号のホーリーファイバ伝送(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,非線形・偏波問題,分散補償デバイス,光信号処理,光測定器,光通信用ディジタル信号処理,光通信計測,光通信用LSI,誤り訂正,一般)
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マッハツェンダ変調器型超平坦光コム発生器の光フィードバックループによる光コム信号の広帯域化 (マイクロ波)
- マッハツェンダ変調器型超平坦光コム発生器の光フィードバックループによる光コム信号の広帯域化 (光エレクトロニクス)
- マッハツェンダ変調器型超平坦光コム発生器の光フィードバックループによる光コム信号の広帯域化 (マイクロ波・ミリ波フォトニクス)
- マッハツェンダ変調器型超平坦光コム発生器の光フィードバックループによる光コム信号の広帯域化 (エレクトロニクスシミュレーション)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (信頼性)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (光エレクトロニクス)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (電子部品・材料)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (機構デバイス)
- 量子ドット集合体のコヒーレンスの基礎と応用
- B-13-25 ホーリーファイバ伝送システムによるO-band光周波数資源の評価(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- B-13-22 新波長帯域T-bandにおける波長多重ホーリーファイバ光伝送の評価(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発
- 新波長帯域T-バンドと従来波長帯域C-バンド同時の4×10-Gbps偏波多重ホーリーファイバ光伝送
- マッハツェンダ変調器型超平坦光コム発生器の光フィードバックループによる光コム信号の広帯域化
- 新波長帯域T-バンドと従来波長帯域C-バンド同時の4×10-Gbps偏波多重ホーリーファイバ光伝送