光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
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概要
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レーザダイオードや発光ダイオードなどの光半導体デバイスにおいて、出力光の光波制御は光通信や計測分野において重要な課題である。我々は、デバイス表面への微細構造加工による光波制御を目的として新デバイス構造の検討を行っている。従来デバイスでは活性層上部に非常に厚いクラッド層を有しており、表面構造からデバイス内部を伝搬する光波へ有効な影響を与えるためには高アスペクト比な加工が必要であった。そこで、我々は、活性層上部のクラッド層を極端に薄くした半導体ハーフクラッド構造を提案し、低アスペクト比で簡便な表面微細加工による光波制御を目指す。本論文では半導体ハーフクラッド構造とその作製プロセスおよび、半導体ハーフクラッド光源のデバイス特性について報告する。
- 2010-01-21
著者
-
山本 直克
情報通信研究機構
-
藤岡 裕己
東京電機大学工学部
-
赤羽 浩一
情報通信研究機構
-
高井 裕司
東京電機大学工学部
-
川西 哲也
情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
-
赤羽 浩一
情報通信機構
-
山本 直克
情報通信機構
-
川西 哲也
情報通信研究機構
-
川西 哲也
情報通信研究機構(nict)
-
川西 哲也
独立行政法人 情報通信研究機構
-
川西 哲也
(独)情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
-
高井 裕司
東京電機大学
-
高井 裕司
Tokyo Denki University
-
赤羽 浩一
(独)情報通信研究機構
-
藤岡 裕己
東京電機大学
-
高井 裕司
東京電機大 工
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