広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
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概要
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新たな光周波数資源の開拓は、将来の光情報通信容量拡大の基盤技術となる。我々は、光情報通信応用を目的とした新周波数帯域としてT-band (1000-1260nm)とO-band (1260-1360nm)に注目し、この帯域で動作する光ゲインデバイスの研究開発を推進している。今回、この新光周波数帯域で動作する広帯域光ゲイン材料として、GaAs基板上のInAs/InGaAs半導体量子ドット構造を作製した。この光ゲイン材料開発では、量子ドット構造高品質化のためのサブナノ層間分離技術と、広帯域動作のための変調量子ドット構造がそれぞれ新規結晶成長技術として用いられた。さらに、この広帯域量子ドット光ゲイン材料と狭線幅光学フィルタを組み合わせ、外部光共振器構造を構築した。その結果、波長1.2-1.3μm帯の広帯域で動作する波長可変量子ドットレーザの開発に成功した。
- 2011-07-14
著者
-
山本 直克
情報通信研究機構
-
赤羽 浩一
情報通信研究機構
-
川西 哲也
情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
-
川西 哲也
情報通信研究機構
-
川西 哲也
情報通信研究機構(nict)
-
赤羽 浩一
独立行政法人 情報通信研究機構
-
川西 哲也
(独)情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
-
高井 裕司
東京電機大学
-
高井 裕司
Tokyo Denki University
-
赤羽 浩一
(独)情報通信研究機構
-
高井 裕司
東京電機大 工
-
吉岡 佑毅
東京電機大学
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