波長1ミクロン帯光情報通信のための半導体量子ドット光デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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光情報通信の新たな光周波数開拓として現在1〜1.3μm帯光デバイス開発を行っている。同波長帯におけるアンチモン照射InGaAs/GaAs系半導体量子ドット構造の光ゲイン材料作製と、それを利用した波長可変光源デバイス開発について報告する。また、量子ドットレーザやホーリーファイバなどの新規光ICTデバイスを組み合わせた波長1μm帯フォトニックトランスポートシステム構築とその光伝送応用実証について報告する。
- 2009-08-13
著者
-
山本 直克
情報通信研究機構
-
赤羽 浩一
情報通信研究機構
-
外林 秀之
青山学院大学理工学部
-
川西 哲也
情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
-
赤羽 浩一
情報通信機構
-
川西 哲也
情報通信研究機構
-
川西 哲也
情報通信研究機構(nict)
-
カトフ レドワン
情報通信研究機構
-
外林 秀之
情報通信研究機構
-
外林 秀之
青山学院大学理工学部:(独)情報通信研究機構
-
川西 哲也
(独)情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
-
外林 秀之
青山学院大学理工学部:情報通信研究機構
-
赤羽 浩一
(独)情報通信研究機構
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