高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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波長1-μm帯のレーザは,新しい光通信や高解像度光干渉断層撮影装置の光源などに期待される.高性能量子ドットレーザを実現するためには,高表面密度,高積層が重要である.通常のMBE技術では,10層以上積層すると転位が入りPL強度が低下することが報告されており,量子ドットレーザの積層数は10層以内のものが多い.今回我々は高速MBE成長法で作製した波長1-μm帯19層積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの室温発振に成功し,7層積層レーザに比べて低閾値電流化,量子効率の改善を確認したので報告する.
- 2011-08-18
著者
-
山本 直克
情報通信研究機構
-
赤羽 浩一
情報通信研究機構
-
山本 直克
情報通信機構
-
赤羽 浩一
独立行政法人 情報通信研究機構
-
菅原 宏治
首都大学東京大学院システムデザイン研究科
-
赤羽 浩一
(独)情報通信研究機構
-
田之上 文彦
首都大学東京システムデザイン研究科:情報通信研究機構
-
菅原 宏治
首都大学東京システムデザイン研究科
-
菅原 宏治
首都大学東京 システムデザイン研究科
-
菅原 宏治
首都大学東京
-
田之上 文彦
首都大学東京
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