光通信用アンチモン系量子ドット面発光レーザ(QD-VCSEL)の開発(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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光通信波長1.3〜1.55μm帯で動作する面発光レーザは材料の結晶成長条件や諸特性などの制約により、実現が非常に困難であった。本研究ではGaAs(001)基板上のAlGaAs/GaAsで構成されたDBR(Distributed Bragg Reflector)共振器内にアンチモン系量子ドットを形成し、光通信用面発光レーザの作製を試みた。活性層として、シリコン原子照射法により高密度化されたInGaSb QDsをGaAs基板上に作成した。結果として、アンチモン系量子ドット面発光レーザの電流注入により通信波長1.34μmでのレーザへの室温連続発振に成功した。
- 2004-11-26
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