光周波数資源拡大を目指した量子ドット光ゲインICTデバイスの開発(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)

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概要

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• 半導体量子ドットは広帯域光ゲイン材料として注目されている。我々は量子ドット構造を新世代ICTデバイスとして活用するために、その材料の高品質化技術に関する研究・提案を行っている。今回、GaAs半導体基板上に作製された高品質InAs/InGaAs量子ドット構造を用い、波長可変光源や広帯域光源の開発が行われた。これら量子ドット光ゲインICTデバイス開発は将来の光情報通信のための光周波数資源拡大に貢献すると期待される。

• 2010-12-10

著者

• 山本 直克

  情報通信研究機構

• 赤羽 浩一

  情報通信研究機構

• 外林 秀之

  青山学院大学理工学部

• 川西 哲也

  情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター

• 山本 直克

  情報通信機構

• 川西 哲也

  情報通信研究機構

• 川西 哲也

  情報通信研究機構(nict)

• 外林 秀之

  青山学院大学理工学部:(独)情報通信研究機構

• 赤羽 浩一

  独立行政法人 情報通信研究機構

• 川西 哲也

  (独)情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター

• 外林 秀之

  青山学院大学理工学部:情報通信研究機構

• 外林 秀之

  青山学院大学

• 赤羽 浩一

  (独)情報通信研究機構

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