赤羽 浩一 | 独立行政法人 情報通信研究機構
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概要
関連著者
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赤羽 浩一
情報通信研究機構
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赤羽 浩一
独立行政法人 情報通信研究機構
-
赤羽 浩一
(独)情報通信研究機構
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山本 直克
情報通信研究機構
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川西 哲也
情報通信研究機構(nict)
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山本 直克
情報通信機構
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川西 哲也
情報通信研究機構
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赤羽 浩一
情報通信機構
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川西 哲也
情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
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山本 直克
独立行政法人 情報通信研究機構
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川西 哲也
(独)情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
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吉岡 佑毅
東京電機大学
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外林 秀之
青山学院大学
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高井 裕司
東京電機大 工
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吉岡 佑毅
東京電機大学:情報通信研究機構
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高井 裕司
東京電機大学
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高井 裕司
Tokyo Denki University
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外林 秀之
青山学院大学理工学部
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川西 哲也
独立行政法人 情報通信研究機構
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外林 秀之
青山学院大学理工学部:情報通信研究機構
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菅原 宏治
首都大学東京大学院システムデザイン研究科
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川西 哲也
(独)情報通信研究機構
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外林 秀之
青山学院大学理工学部:(独)情報通信研究機構
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菅原 宏治
首都大学東京 システムデザイン研究科
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菅原 宏治
首都大学東京
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川西 哲也
京大工
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川西 哲也
独立行政法人情報通信研究機構
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小見川 祐
青山学院大学理工学部
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川西 哲也
独立行政法人情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
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小見川 祐
青山学院大学
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小坂 英男
東北大通研
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朝倉 健太
東北大通研
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三森 康義
東北大通研
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枝松 圭一
東北大通研
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佐々木 雅英
情報通信機構
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枝松 圭一
東北大学通研
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枝松 圭一
東北大工
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枝松 圭一
東北大・工
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佐々木 雅英
(独)情報通信研究機構
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佐々木 雅英
情通機構
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小坂 英男
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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三森 康義
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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三森 康義
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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佐々木 雅英
通信総合研究所基礎先端部門量子情報技術グループ
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村上 大介
情報通信研究機構
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安田 真爾
情報通信研究機構
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吉岡 佑毅
情報通信研究機構
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大谷 直毅
同志社大
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菅野 敦史
(独)情報通信研究機構
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菅野 敦史
独立行政法人情報通信研究機構
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菅野 敦史
情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
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田之上 文彦
首都大学東京システムデザイン研究科:情報通信研究機構
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川西 哲也
(独)情報通信研究機構光ネットワーク研究所
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菅野 敦史
情報通信研究機構
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中村 拓也
首都大学東京大学院システムデザイン研究科
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木下 雄太
青山学院大学
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菅原 宏治
首都大学東京システムデザイン研究科
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田之上 文彦
首都大学東京
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カトフ レドワン
情報通信研究機構
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カトフ レドワン
独立行政法人 情報通信研究機構
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松本 敦
早稲田大学理工学部
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赤羽 浩一
情通機構
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山本 直克
情通機構
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宇高 勝之
早稲田大学理工学術院
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山本 和幸
青山学院大学理工学部
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宇高 勝之
早稲田大学大学院理工学研究科
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桑田 圭一郎
早稲田大学理工学術院
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松下 明日香
早稲田大学理工学術院
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松本 敦
早稲田大学理工学術院
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山本 和幸
北海道大学消化器外科学II
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宇高 勝之
早稲田大学
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小川 佳宏
東工大院理工
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南 不二雄
東工大院理工
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佐々木 雅英
情報通信研究機構
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川西 哲也
通総研
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江馬 一弘
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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江馬 一弘
上智大学 理工学部 物理学科
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山本 直克
(独)情報通信研究機構
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中島 大樹
東工大院理工
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管野 敦史
情報通信研究機構
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関 圭介
東北大通研
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渡邊 俊太
東北大通研
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早瀬 潤子
慶應義塾大学
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倉田 泰成
青山学院大学
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吉岡 佑穀
東京電機大学
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高井 祐司
東京電機大学
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江馬 一弘
上智大学
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江馬 一弘
上智大学理工:上智ナノテク
著作論文
- 1-μm 帯波長可変量子ドットレーザを用いた 2.5-Gb/s、1-km ホールアシストファイバ伝送
- B-13-24 波長帯多重3×10Gbps光信号のホーリーファイバ伝送(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- 超広帯域光伝送システムによる新光周波数帯TバンドとC、Lバンドの同時伝送(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,非線形・偏波問題,分散補償デバイス,光信号処理,光測定器,光通信用ディジタル信号処理,光通信計測,光通信用LSI,誤り訂正,一般)
- 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化
- 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低闘値化(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 超広帯域ホーリーファイバ光伝送システムによる新光周波数帯域T-バンド開拓とその伝送品質評価
- 23pRE-8 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果(23pRE 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 1-μm帯波長可変量子ドットレーザを用いた2.5-Gb/s、1-kmホールアシストファイバ伝送(アクセスシステムおよびアクセス用光部品,光無線システム(ROF,FWA等),光映像伝送(CATV含む),オペレーション/保守監視,光計測,光ファイバ,光ファイバケーブル,一般)
- 1-μm帯波長可変量子ドットレーザを用いた2.5-Gb/s、1-kmホールアシストファイバ伝送(アクセスシステム及びアクセス用光部品,光無線システム(ROF,FWA等)光映像伝送(CATV含む),オペレーション/保守監視,光計測,光ファイバ,光ファイバケーブル,一般)
- B-13-46 光伝送システムにおける波長1μm帯光周波数資源の評価(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- 23aRE-1 散乱型ANSOM法によるInAs量子ドットからの誘電率分布の観測(23aRE 顕微・近接場分光/新光源・新分光法,領域5(光物性))
- B-10-60 波長1μm帯における偏波多重2×10Gbps光伝送(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- 歪補償法による多重積層量子ドットレーザの発振波長制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 光周波数資源拡大を目指した量子ドット光ゲインICTデバイスの開発(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- 25pPSA-54 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果II(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25pHB-10 III-V族自己形成型半導体量子ドットにおけるスペクトル分解フォトンエコー(25pHB 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発
- InAs QD-SOAとリング共振器を集積した光論理ゲート素子の超高速(160Gb/s)論理動作の数値解析による検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- InAs QD-SOAとリング共振器を集積した光論理ゲート素子の超高速(160Gb/s)論理動作の数値解析による検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 21pPSB-28 InAlGaAs/AlGaAs量子ドットにおける顕微分光(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pRB-12 III-V族自己形成型半導体量子ドットにおけるスペクトル分解フォートンエコーII(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 21pRB-11 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果III(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 新光周波数帯域T-バンドにおける偏波多重2×10-Gbps光信号のホーリーファイバ伝送(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,非線形・偏波問題,分散補償デバイス,光信号処理,光測定器,光通信用ディジタル信号処理,光通信計測,光通信用LSI,誤り訂正,一般)
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 量子ドット集合体のコヒーレンスの基礎と応用
- B-13-25 ホーリーファイバ伝送システムによるO-band光周波数資源の評価(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発
- 高速MBE成長法による19層積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの利得評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)