赤羽 浩一 | 情報通信機構
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概要
関連著者
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赤羽 浩一
情報通信機構
-
赤羽 浩一
情報通信研究機構
-
山本 直克
情報通信機構
-
赤羽 浩一
(独)情報通信研究機構
-
山本 直克
情報通信研究機構
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赤羽 浩一
独立行政法人 情報通信研究機構
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川西 哲也
情報通信研究機構
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川西 哲也
情報通信研究機構(nict)
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小坂 英男
東北大通研
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川西 哲也
情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
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三森 康義
東北大通研
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枝松 圭一
東北大通研
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枝松 圭一
東北大学通研
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川西 哲也
(独)情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
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佐々木 雅英
情報通信機構
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朝倉 健太
東北大通研
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吉岡 佑毅
東京電機大学
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大谷 直毅
同志社大
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佐々木 雅英
(独)情報通信研究機構
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川西 哲也
独立行政法人 情報通信研究機構
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高井 裕司
東京電機大学
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高井 裕司
Tokyo Denki University
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三森 康義
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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佐々木 雅英
通信総合研究所基礎先端部門量子情報技術グループ
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山本 直克
独立行政法人 情報通信研究機構
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佐々木 雅英
情通機構
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小坂 英男
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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高井 裕司
東京電機大 工
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外林 秀之
青山学院大学理工学部
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川西 哲也
(独)情報通信研究機構
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外林 秀之
青山学院大学理工学部:(独)情報通信研究機構
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菅原 宏治
首都大学東京大学院システムデザイン研究科
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外林 秀之
青山学院大学理工学部:情報通信研究機構
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川西 哲也
京大工
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枝松 圭一
東北大工
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枝松 圭一
東北大・工
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三森 康義
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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川西 哲也
独立行政法人情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
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菅原 宏治
首都大学東京 システムデザイン研究科
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吉岡 佑毅
東京電機大学:情報通信研究機構
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菅原 宏治
首都大学東京
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村上 大介
情報通信研究機構
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安田 真爾
情報通信研究機構
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吉岡 佑毅
情報通信研究機構
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小見川 祐
青山学院大学理工学部
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外林 秀之
青山学院大学
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三森 康義
東北大学通研
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小坂 英男
東北大学通研
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小見川 祐
青山学院大学
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川西 哲也
独立行政法人情報通信研究機構
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加藤 範泰
東北大通研
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中村 拓也
首都大学東京大学院システムデザイン研究科
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藤岡 裕己
東京電機大学
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田之上 文彦
首都大学東京システムデザイン研究科:情報通信研究機構
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藤岡 裕己
東京電機大学工学部
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高井 裕司
東京電機大学工学部
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カトフ レドワン
情報通信研究機構
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外林 秀之
情報通信研究機構
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菅野 敦史
(独)情報通信研究機構
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菅野 敦史
独立行政法人情報通信研究機構
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赤羽 浩一
情通機構
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菅野 敦史
情報通信研究機構
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江馬 一弘
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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山本 直克
情通機構
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菅野 敦史
情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
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菅原 宏治
首都大学東京システムデザイン研究科
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田之上 文彦
首都大学東京
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佐々木 雅英
情報通信研究機構
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江馬 一弘
上智大理工
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山本 和幸
青山学院大学理工学部
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田中 隆介
東北大学通研
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小林 恭輔
東北大学通研
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木下 雄太
青山学院大学
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鯨岡 真美子
情通機構:上智大理工
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早瀬(伊師) 潤子
情通機構:電通大先端領域教育研究センター:jstさきがけ
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渡邊 俊太
東北大通研
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山本 和幸
北海道大学消化器外科学II
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小川 佳宏
東工大院理工
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南 不二雄
東工大院理工
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早瀬(伊師) 潤子
電気通信大学先端領域教育研究センター
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鯨岡 真美子
情報通信研究機構
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鯨岡 真美子
情通機構
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早瀬(伊師) 潤子
情通機構
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江馬 一弘
上智大学 理工学部 物理学科
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赤羽 浩一
東京電機大学
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小坂 秀男
東北大通研
-
藤岡 裕己
東京電気大学
-
高井 裕司
東京電気大学
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山本 尚克
(独)情報通信研究機構
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中島 大樹
東工大院理工
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関 圭介
東北大通研
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早瀬 潤子
慶應義塾大学
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倉田 泰成
青山学院大学
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吉岡 佑穀
東京電機大学
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高井 祐司
東京電機大学
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江馬 一弘
上智大学
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江馬 一弘
上智大学理工:上智ナノテク
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渡邉 俊太
東北大通研
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枝松 圭一
東北大理研
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長谷川 寛幸
東北大理研
-
三森 康義
東北大理研
-
小坂 英男
東北大理研
著作論文
- 22pPSB-28 III-V族半導体量子ドットにおける励起子ラビ振動のパルス幅依存性(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 波長1ミクロン帯光情報通信のための半導体量子ドット光デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 27aPS-35 III-V族半導体量子ドットの励起子フォトンエコーII(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 27aPS-18 III-V族半導体キャビティポラリトンのポンププローブ分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 28pVA-11 III-V族半導体キャビティポラリトンにおける光誘起力-効果II(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 25aXB-5 歪補償量子ドットにおける多光波混合(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 25aXB-4 集団量子ドットにおける励起子ラビ振動の制御(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- B-13-24 波長帯多重3×10Gbps光信号のホーリーファイバ伝送(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- 超広帯域光伝送システムによる新光周波数帯TバンドとC、Lバンドの同時伝送(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,非線形・偏波問題,分散補償デバイス,光信号処理,光測定器,光通信用ディジタル信号処理,光通信計測,光通信用LSI,誤り訂正,一般)
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発
- 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化
- 波長1ミクロン帯光情報通信のための半導体量子ドット光デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1ミクロン帯光情報通信のための半導体量子ドット光デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低闘値化(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 超広帯域ホーリーファイバ光伝送システムによる新光周波数帯域T-バンド開拓とその伝送品質評価
- 23pRE-8 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果(23pRE 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 23pPSB-25 InAs系自己形成量子ドットの励起子四光波混合のドット密度依存性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSA-44 InAs系自己形成量子ドット中の励起子四光波混合IV(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25aPS-35 InAs系自己形成量子ドット中の励起子四光波混合III(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27aWA-8 InAs系自己形成量子ドット中の励起子四光波混合II(27aWA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 23aYH-7 III-V族半導体キャビティポラリトンにおける光誘起カー効果(23aYH 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 26aPS-11 半導体微小共振器における光誘起カー効果(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSA-73 半導体微小共振器の励起子ポラリトンのポンプ&プローブ分光III(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- B-13-46 光伝送システムにおける波長1μm帯光周波数資源の評価(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- 歪補償法による多重積層量子ドットレーザの発振波長制御 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 光周波数資源拡大を目指した量子ドット光ゲインICTデバイスの開発 (光エレクトロニクス)
- 23aRE-1 散乱型ANSOM法によるInAs量子ドットからの誘電率分布の観測(23aRE 顕微・近接場分光/新光源・新分光法,領域5(光物性))
- InAs多重積層量子ドットによる1.55μm帯レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 21aYD-2 InAs系自己形成量子ドット中の励起子四光波混合(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- 25pPSA-54 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果II(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25pHB-10 III-V族自己形成型半導体量子ドットにおけるスペクトル分解フォトンエコー(25pHB 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 21pPSB-28 InAlGaAs/AlGaAs量子ドットにおける顕微分光(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pRB-12 III-V族自己形成型半導体量子ドットにおけるスペクトル分解フォートンエコーII(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 21pRB-11 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果III(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (信頼性)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (光エレクトロニクス)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (電子部品・材料)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 (機構デバイス)
- 量子ドット集合体のコヒーレンスの基礎と応用
- B-13-25 ホーリーファイバ伝送システムによるO-band光周波数資源の評価(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発
- 高速MBE成長法による19層積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの利得評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 24pPSA-42 III-V族自己形成型半導体量子ドットにおける3パルスフォトンエコー(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20pFJ-2 III-V族半導体量子ドットのフォトンエコー信号における局所電場効果(20pFJ 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
- 18aPSB-36 III-V族自己形成型半導体量子ドットにおけるスペクトル分解フォトンエコーIII(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
- 27pEJ-6 III-V 族自己形成型半導体量子ドットにおけるスペクトル分解フォトンエコーIV(27pEJ 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 26pPSA-31 半導体量子ドットにおける顕微共鳴発光分光法の開発(励起子,微粒子,ナノ結晶,その他,領域5ポスターセッション,領域5(光物性))